鎧俠和威騰電子發布最新3D Flash Memory
微縮和晶圓鍵合技術的突破性架構創新，實現性能、密度和成本效益方面實現了重大飛躍。
鎧俠株式會社
威騰電子公司
東京和加利福尼亞州聖何塞，2023年3月30日 – 為展示先進NAND Flash技術的持續創新，鎧俠株式會社與威騰電子公司今日發布了他們最新的3D Flash Memory技術的詳細信息。該3D Flash Memory採用先進的微縮和晶圓鍵合技術，不僅成本上極具吸引力，同時還提供卓越的容量、性能和可靠性，因而成為滿足眾多市場中指數級數據增長需求的理想選擇。
“新的3D Flash Memory展示了我們與鎧俠強大的合作關係以及我們在3D NAND領域的聯合創新領導地位。”威騰電子技術與戰略高級副總裁Alper Ilkbahar說，“通過共同的研發路線圖與持續的研發投資，我們能夠提前推動該基本技術的發展，以生產高性能、高資本效益的產品。”
Kioxia和Western Digital通過引入各種獨特的流程與架構來降低成本，從而實現持續橫向擴展的進步。這種垂直與橫向微縮之間的平衡在更小的芯片中產生更大的容量，在優化成本的同時減少了層數。兩家公司還開發了突破性的CBA(CMOS直接鍵合到陣列)技術，其中每個CMOS晶圓和存儲單元陣列晶圓在優化狀態下單獨製造，然後接合在一起以提供更高的密度和快速NAND I/O速度。
“我們通過獨特的工程合作關係，成功推出了業界最高位密度 1 的第八代BiCS FLASH™”，鎧俠的首席技術官Masaki Momodomi說，“我很高興Kioxia已經為部分客戶提供樣品。通過CBA技術與微縮創新，我們進一步推動了3D Flash的產品組合在一系列以數據為中心的應用中，包括智能手機，物聯網設備和數據中心。”
218層的3D Flash具有4個平面(Plane)的1Tb三層存儲單元(TLC)和四層存儲單元(QLC)，並採用創新的橫向微縮技術，可將單位密度提升50%以上。其資料輸出入的速度達到每秒3.2Gb/s以上，比上一代產品提高了60%，同時在寫入性能和讀取延遲方面的改善超過了20%，將加速用戶的整體性能、可用性。
本文檔中的信息，包括產品價格和規格、服務內容和聯繫信息，在發布之日是正確的，但如有更改，恕不另行通知。
原文網址:
https://tw.kioxia.com/zh-tw/business/news/2023/20230330-1.html