作者 : 原廠新聞稿
出處 : https://epc-co.com/epc/tw/活動及最新消息/新聞
宜普電源轉換公司 (EPC) 推出150 V、6 mΩ EPC2308 GaN FET，讓高功率密度應用實現更高的性能和更小的解決方案，包括 DC/DC轉換、AC/DC SMPS和充電器、太陽能優化器和微型逆變器，以及馬達控制器。
EPC是增强型氮化鎵 (eGaN®)功率FET和IC領域的全球領導者，新推採用更耐熱的QFN封裝且可立即發貨的150 V EPC2308氮化鎵元件，用於電動工具和機器人的馬達控制器、用於工業應用的80 V/100 V高功率密度 DC/DC轉換器、用於充電器、適配器和電源供電的28V~54V同步整流器、智能手機USB快速充電器，以及太陽能優化器和微型逆變器。
EPC2308 GaN FET具有超小的導通電阻（RDS(on)），典型值僅為4.9 mOhm，而且QG、QGD和QOSS的參數非常小，可實現低導通和開關損耗。它採用耐熱增强型QFN封裝，佔板面積僅為3 mm x 5 mm，為最高功率密度應用提供極小型化的解決方案。該封裝提供可濕潤側面以簡化組裝和檢查，而且頂部外露和具超低熱阻，從而可以通過散熱器實現高效散熱和更低的操作溫度。
EPC2308與之前發佈的100 V、1.8 mOhm EPC2302和100 V、3.8 mOhm EPC2306的封裝兼容。
宜普電源轉換公司首席執行長兼聯合創始人Alex Lidow說：「EPC2308結合了150 V GaN FET的優勢和易於組裝、更耐熱的QFN封裝。設計人員可以利用封裝GaN FET系列，實現用於電動汽車和無人機的更小、更輕和以電池供電的BLDC馬達控制器、更高效的80 V輸入DC/DC轉換器、更高效的USB充電器和電源供電等應用。」