宜普電源轉換公司(EPC)新推100 V、3.8 mΩ 的氮化鎵場效應電晶體EPC2306，為高功率密度應用提供性能更高和更小的解決方案，包括 DC/DC 轉換、AC/DC 充電器、太陽能優化器和微型逆變器、馬達控制器和D類音頻放大器等應用。
宜普電源轉換公司是增强型氮化鎵 (eGaN®) 功率 FET 和 IC 領域的全球領導者，新推100 V、採用耐熱增强型QFN封裝的EPC2306，用於高密度計算應用的48 V DC/DC轉換、電動汽車和機器人的 48 V BLDC 馬達控制器、太陽能優化器和微型逆變器，以及 D 類音頻放大器。
EPC2306 GaN FET具有超小的導通電阻（3.8 mOhm）以及非常小的QG、QGD 和 QOSS 參數，可實現低導通和開關損耗。它採用耐熱增强型 QFN 封裝，從頂部散熱，佔板面積是3 mm x 5 mm，為最高功率密度應用提供超小型化的解決方案。
EPC2306 與之前推出的100 V、1.8 mOhm EPC2302 都是封裝兼容，從而允許設計工程師在導通電阻與價格之間權衡，在相同PCB佈局兼容兩種元件的封裝尺寸，從而可實現效率或成本優化的解決方案。
宜普電源轉換公司首席執行長兼聯合創始人 Alex Lidow說：「 EPC2306 結合了100 V氮化鎵場效應電晶體的優勢和易於組裝的 QFN 封裝而沒有降低性能。設計人員可以利用我們的封裝 GaN FET 系列，實現用於電動汽車和無人機的更輕、以電池供電的 BLDC馬達控制器；用於數據中心、數據通信、人工智慧的更高效 48 V 輸入DC/DC轉換器，以及用於其他工業及消費應用。」
EPC90145 開發板採用最大元件電壓為100 V、最大輸出電流為45 A 的半橋元件 EPC2306 GaN FET，旨在簡化評估過程以加快產品推出市場時間。 這款 2“ x 2”（50.8 mm x 50.8 mm）開發板專為實現最佳開關性能而設計和包含了所有關鍵組件，便於評估。