Nexperia高級產品經理Stefan Seider說道:“因為USB4TM超高速線路的插入損耗和回波損耗預算有限,所以Nexperia提供儘可能降低ESD保護對總預算影響的器件,希望為設計工程師提供支持。通過提供這兩種器件選型,工程師可以在ESD電壓鉗位(保護級別)和RF性能之間找到平衡。”
PESD5V0R1BDSF針對低鉗位進行了優化,並且能提供極低的插入損耗和回波損耗,在10 GHz時分別為‑0.28 dB和‑19 dB。另一方面,PESD5V0R1BCSF針對RF性能進行了優化,其插入損耗和回波損耗在10 GHz時分別為-0.25 dB和-19.4 dB。這使其成為插入損耗和回波損耗預算更為有限的應用的理想選擇。
兩種器件都採用超低電感DSN0603-2 (SOD962-2)無鉛引腳封裝,管腳尺寸為標準的0.6 mm x 0.3 mm、厚度為0.3 mm並且具有優化回波損耗的焊盤。對於USB4TM,接收器(Rx)輸入也必須具有交流耦合電容。PESD5V0R1BxSF器件的額定電壓VRWM(>2.8 V)允許其可以直接放置在連接器後面,這是在保護電路的電容與實現出色的系統級ESD性能的首選位置。這個額定電壓使其能向下兼容通過USB Type-C®連接的所有標準。其中包括USB4TM、USB 3.2、舊版USB3.x以及ThunderboltTM和HDMI2.1®(HDMI®交替模式)數據線,支持高達48 Gbps (4 x 12)的HDMI2.1數據速率和高達40 Gbps (2 x 20)的ThunderboltTM數據速率。同時,TrEOS技術能夠確保極低的ESD鉗位電壓以保護敏感的收發器。
關於新款PESD5V0R1BxSF ESD保護器件的更多信息,包括產品規範和數據手冊,請訪問:www.nexperia.com/USB4protection
關於Nexperia
Nexperia,作為半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家,其產品廣泛應用於全球各類電子設計。公司豐富的產品組合包括二極體、雙極性電晶體、ESD保護器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應電晶體(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位於荷蘭奈梅亨,每年可交付900多億件產品,產品符合汽車行業的嚴苛標準。其產品在效率(如工藝、尺寸、功率及性能)方面獲得行業廣泛認可,擁有先進的小尺寸封裝技術,可有效節省功耗及空間。
憑藉幾十年來的專業經驗,Nexperia持續不斷地為全球各地的優質企業提供高效的產品及服務,並在亞洲、歐洲和美國擁有超過12,000名員工。Nexperia是聞泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司,擁有龐大的智慧財產權組合,並獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001 認證。