東芝推出採用TOLL封裝的650V 超接合面Super Junction功率MOSFET,有助於提高大電流設備的效率

日期 : 2021-06-17
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AIT Toshiba Super Junction MOSFET TK065U65Z TK090U65Z TK110U65Z TK155U65Z TK190U65Z

新聞內容




東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣佈,在其TOLL(TO-無引線)封裝的DTMOSVI系列中推出650V超接合面功率MOSFET, TK065U65ZTK090U65ZTK110U65ZTK155U65Z 和 TK190U65Z, 今日開始量產出貨。

TOLL是一種表面貼裝型封裝,所需空間比常見的D2PAK封裝小27%。它也屬於4引腳型封裝,能夠對閘極驅動的信號源端子進行源極接線(Kelvin Source)連接,從而減小封裝中源極線的電感,進而發揮MOSFET實現高速開關性能,抑制開關時產生的振盪。與東芝現有產品TK090N65Z[1]相比,其導通開關損耗降低了約68%,關斷切換損耗降低了約56%[2][3]。新型MOSFET適用於資料中心和太陽能發電功率調節器等工業設備的電源。

TOLL封裝與最新[4]DTMOSVI製程技術相結合擴展了產品陣容,覆蓋了低至65mΩ(最大值)的低導通電阻[5]。東芝將繼續採用TOLL封裝製程對產品進行提升,以減小設備尺寸並提高效率。

注:
[1] 具有等效電壓和導通電阻的DTMOSVI系列產品均採用沒有源極接線連接的TO-247封裝製程
[2] 截至2021年3月10日,東芝測得的數值(測試條件:VDD=400V,VGG=+10V/0V,ID=15A,Rg=10Ω,Ta=25℃)。
[3] 僅限TK090U65Z 
[4] 截至2021年3月10日
[5] 僅限TK065U65Z


應用 

  • 資料中心(伺服器電源等)
  • 太陽能發電功率調節器
  • 不斷電供應系統設備


特性

  • 薄而小的表面貼裝型封裝
  • 採用4引腳型封裝, 可以減少開關損耗
  • 最新一代[4]DTMOSVI系列

Main Specifications                                                                                                                       

                                                                                                                                         (Ta=25°C)

Part number

TK065U65Z

TK090U65Z

TK110U65Z

TK155U65Z

TK190U65Z

Package

Name

TOLL

Size typ.

(mm)

9.9x11.68, t:2.3

Absolute maximum ratings

Drain-

source

voltage

VDSS (V)

650

Drain

current

(DC)

 ID (A)

38

30

24

18

15

Drain-source

On-resistance

RDS(ON) max (Ω)

@VGS=10V

0.065

0.09

0.11

0.155

0.19

Total gate charge

 Qg typ. (nC)

62

47

40

29

25

Gate-drain charge

 Qgd typ. (nC)

17

12

11

8

7.1

Input capacitance

 Ciss typ. (pF)

3650

2780

2250

1635

1370

Channel-to-case

thermal resistance

 Rth(ch-c) max (℃/W)

0.462

0.543

0.657

0.833

0.961

Conventional series (DTMOSIV)

Part number

-

-

-

TK20G60W[6]

TK16G60W[6]



Note:
[6] VDSS=600V, D2PAK package