Alpha 和 Omega Semiconductor Limited (AOS)，一家設計、開發商和全球範圍廣泛的功率半導體、功率 IC 和數字電源產品供應商，宣布發布 AOTL66518 和 AOB66518L，這是一款具有低導通電阻和高安全工作區 (SOA) 能力的 150V MOSFET，專為電信熱插拔中的苛刻應用而設計。
AOS 設計的這些 MOSFET 具有低導通電阻和穩健的線性模式性能以及寬安全工作區 (SOA)，以管理對性能、可靠性和質量至關重要的電信應用。 AOTL66518 和 AOB66518L 的最大結溫高達 175°C，並通過限制軟啟動、電子保險絲和熱插拔應用條件下的高衝擊電流來保護負載。
AOTL66518 採用 TOLL 封裝的 150V MOSFET 以提供高穩健性。 TOLL 封裝的佔位面積比 TO-263 (D2PAK) 封裝小 30%，並且由於採用了夾子技術，因此具有更高的電流容量。 與TO-263相比，AOTL66518從矽結到封裝底部的熱阻（Rthjc）非常低。 這些特性使電信設計人員能夠減少並聯 MOSFET 的數量。
“高可靠性和穩健的線性模式性能是電信行業的關鍵指標。 AOTL66518 和 AOB66518L 具有高 SOA 和低導通電阻，可以滿足這些苛刻的要求。
AOS 設計的這些 MOSFET 具有低導通電阻和穩健的線性模式性能以及寬安全工作區 (SOA)，以管理對性能、可靠性和質量至關重要的電信應用。 AOTL66518 和 AOB66518L 的最大結溫高達 175°C，並通過限制軟啟動、電子保險絲和熱插拔應用條件下的高衝擊電流來保護負載。
AOTL66518 採用 TOLL 封裝的 150V MOSFET 以提供高穩健性。 TOLL 封裝的佔位面積比 TO-263 (D2PAK) 封裝小 30%，並且由於採用了夾子技術，因此具有更高的電流容量。 與TO-263相比，AOTL66518從矽結到封裝底部的熱阻（Rthjc）非常低。 這些特性使電信設計人員能夠減少並聯 MOSFET 的數量。
“高可靠性和穩健的線性模式性能是電信行業的關鍵指標。 AOTL66518 和 AOB66518L 具有高 SOA 和低導通電阻，可以滿足這些苛刻的要求。