IEEE里程碑牌匾是對單片集成大功率器件、精確類比功能和複雜數位控制邏輯的
開創性研究成果的認可（晶片銷量達400億）
意法半導體宣佈，電氣與電子工程師協會(IEEE)授予意法半導體IEEE里程碑獎，表彰公司在超級集成矽柵半導體工藝技術方面的開創性研究成果。意法半導體的BCD技術可以單片集成雙極工藝高精度模擬電晶體、CMOS工藝高性能數位開關電晶體和高功率DMOS電晶體，適合複雜的、有大功率需求的應用。多年來，BCD工藝技術已賦能硬碟驅動器、印表機和汽車系統等終端應用取得了顛覆性發展。
在意法半導體Agrate工廠舉行的現場 / 線上揭牌儀式上，IEEE義大利分部人道主義活動委員會協調員兼前任秘書Giambattista Gruosso和意法半導體總裁兼首席執行官Jean-Marc Chery共同揭開了IEEE里程碑牌匾。該牌匾將放置在意法半導體在義大利米蘭市近郊的兩個曾經承擔多矽柵多功率BCD開發工作的義大利布裡安劄的Agrate工廠和義大利米蘭Castelletto工廠的大門口。牌匾上寫著：
IEEE里程碑
單片多矽技術，1985年
SGS（現為意法半導體）率先採用單片集成雙極型電晶體、CMOS電晶體和DMOS電晶體(BCD)的超級集成矽柵極工藝，解決複雜的、有大功率需求的應用設計難題。首個BCD超級積體電路L6202可以控制最高60V-5A的功率，開關頻率300kHz。隨後的汽車、電腦和工業自動化廣泛採用了這項工藝技術，讓晶片設計人員能夠靈活、可靠地單片集成功率、類比和數位信號處理電路。
IEEE于1983年建立了里程碑計畫，以表彰在獨特產品、服務、有影響力的論文和專利中造福人類的技術創新和卓越成就。每一個里程碑獎都代表了一項至少是25年前在IEEE代表的技術領域產生的至少具有地區影響力的重要技術成就。目前，IEEE在全球範圍內批准並頒發了大約220塊IEEE里程碑牌匾。
在上個世紀八十年代初期，意法半導體工程師開始尋找可靠的方法解決各種電子應用問題，並第首先在一顆單晶片上集成異質電晶體和異質二極體。工程師著眼于多個細分市場的客戶需求，著力於在數位邏輯的控制下提供數百瓦的電力，而且控制邏輯技術遵循摩爾定律。目標器件還將支援精確的模擬功能，並最大程度地降低功耗，無需使用散熱器。
這些研發活動最終產生了一種新的集成矽柵技術。這種被稱為BCD (雙極、CMOS、DMOS) 的技術利用複雜的互連方法在單個晶片上集成二極體、雙極線性電晶體、複雜CMOS邏輯和多個DMOS功率電晶體。BCD首個晶片是L6202電動機全橋驅動器，工作電壓60V，電流1.5A，開關頻率300kHz，達到所有設計目標。這個新的可靠工藝技術讓晶片設計人員能夠在單個晶片上靈活地集成功率、類比和數位信號處理電路。
從推出BCD工藝至今，意法半導體已經售出400多億顆矽柵多功率BCD器件/晶片，第十代BCD技術即將開始投產。在歐洲和亞洲，意法半導體前後工序製造工廠的這項BCD技術廣泛用於汽車電子系統、智慧手機、家用電器、音訊放大器、硬碟、電源、印表機、微型投影儀、照明、醫療設備、電動機、數據機、顯示器等。
意法半導體總裁、首席執行官Jean-Marc Chery表示：“在80年代初, 智慧電源還是一個獨樹一幟的概念，我們的一個有遠見和眼光的天才技術團隊認識到智慧電源的價值，創造了一項非凡成就，將雙極電晶體的高精度功能與CMOS數位控制和DMOS的高功率整合成一顆晶片。到現在，已經過去35年並經歷了9次技術反覆運算，我們產出500萬片晶圓，售出400億顆晶片 – 僅去年一年就售出近30億顆晶片。能夠得到這一IEEE里程碑匾額意味著ST的BCD技術將被寫進推進人類發展的科技史冊，對此，我們的自豪無以言表。”
