意法半導體的MasterGaN4*功率封裝集成了兩個對稱的225mΩ RDS(on)、650V氮化鎵(GaN)功率電晶體，以及優化的柵極驅動器和電路保護功能，可以簡化高達200W的高能效電源變換應用的設計。
作為意法半導體MasterGaN系列的最新產品，MasterGaN4解決了複雜的柵極控制和電路佈局難題，簡化了寬頻隙GaN功率半導體的應用設計。MasterGaN4的輸入容許電壓為3.3V-15V，可以直接連接到控制器，例如，霍爾效應感測器或微控制器、DSP處理器、FPGA可程式設計器件等CMOS晶片。
GaN電晶體開關性能出色，工作頻率更高，能效更高，散熱發熱更少，設計人員可以選用尺寸更小的磁性元件和散熱器，設計更小、更輕的電源、充電器和適配器。MasterGaN4非常適用於對稱半橋拓撲以及軟開關拓撲，例如，有源鉗位反激式和有源鉗位正激式變換器。
4.75V-9.5V的寬電源電壓方便MasterGaN4連接到現有電源軌。內置保護功能包括柵極驅動器互鎖、高低邊欠壓鎖定(UVLO)以及過熱保護，可進一步簡化應用設計。還有一個專用的關斷引腳。
作為這次產品發佈的一部分，意法半導體還推出一個MasterGaN4原型開發板(EVALMASTERGAN4)。這塊評估板提供使用單一或互補信號驅動MasterGaN4的全部功能，以及一個可調的死區時間發生器。使用者可以靈活地施加一個單獨輸入信號或PWM信號，插入一個外部自舉二極體，隔離邏輯器件和柵極驅動器電源軌，以及使用一個低邊電流採樣電阻設計峰值電流模式拓撲。
MasterGaN4現已投產，採用9mm x 9mm x 1mm GQFN封裝，超過2mm的爬電距離確保在高壓應用中的使用安全。
*MasterGaN是STMicroelectronics International NV(意法半導體國際有限公司)或其在歐盟和/或其他地方關聯公司的註冊和/或未注冊商標。
