日前，集設計、研發、生產和全球銷售一體的著名功率半導體、晶片及數位電源產品供應商Alpha and Omega Semiconductor Limited 推出採用最佳化的TO-247-4L封裝，符合AEC-Q101標準的新型1200V碳化矽MOSFET（αSiC MOSFET）—AOM033V120X2Q。這款通過車規標準的1200V 碳化矽MOSFET為可接受15V標準柵極驅動器的TO-247-4L封裝，並提供行業內領先的最低導通電阻，滿足電動汽車(EV)的車載充電模組(OBC, On Board Charger)、電機驅動變頻器和車載充電站(Charger Station) 的高效率和可靠性要求。
隨著電動汽車市場每年以成數百萬輛的加速發展，汽車製造商正越來越多地實現800V電壓系統，用以減小系統尺寸和重量的同時，也延長了電動車的續航里程距離，並顯著的提高其充電速度。AOS 1200V αSiC MOSFET專為這些苛刻的應用要求而設計，與傳統的矽器件相比，具有卓越的開關性能和效率。
AOM033V120X2Q是1200V / 33mW SiC MOSFET，其在我們的第二代αSiC MOSFET平臺的基礎上，採用TO-247-4L最佳化封裝，與標準3腳封裝不同，使用額外的凱爾文源極(Kelvin Source)感測引腳，可降低封裝內部迴路上的寄生電感，使得該器件能夠在更高的切換頻率下工作。與標準TO-247-3L封裝相比，切換損耗最多可降低75％。其柵極驅動電壓為15V，可以使柵極驅動器具有最廣泛的相容性，容易被實現在各種系統設計中採用。此外，αSiC MOSFET在高溫175°C下導通電阻的增加非常小，大幅度地降低功率損耗並進一步提高效率。
產品技術特點
- 通過AEC-Q101車規驗證標準資格, 且提供汽車產業供應鏈中使用的品質保證程式PPAP報告
- 最高工作接面溫度 (Junction Temperature) 175°C
- 低導通電阻(Rds,on)且不易受溫度上升影響
- 低Qrr和高可靠的寄生二極體
- 使用額外的凱爾文源極(Kelvin Source)感測引腳以實現快速切換頻率與低切換損耗