Nexperia首次推出 用於48 V汽車和其他更高電壓總線電路的80 V RET

日期 : 2021-01-26
標籤 :
Nexperia 80 V RET 配電阻電晶體

新聞內容

器件可完全避免尖峰和脈衝的影響

半導體基礎元器件領域的高產能生產專家Nexperia首次宣布推出80 V RET(配電阻電晶體)系列。這些新的RET或“數字電晶體”提供了足夠的餘量,可用於48 V汽車板網(如輕度混合動力和EV汽車)和其他更高電壓的電路,這些電路經常受到較大的尖峰和脈衝影響,以前的50 V器件無法處理。



通過在與電晶體相同的SOT23 (250 mW Ptot)或SOT323 (235 mW Ptot)封裝中組合偏置電阻和偏置發射極電阻,RET可以節省空間並降低製造成本。SOT363封裝還提供雙RET(兩個電晶體和兩個匹配偏置電阻和偏置發射極電阻),Ptot為350 mW,可實現更高集成度並節省更多成本。

新系列(NHDTx和NHUMx)包括42個具有PNP/NPN組合的器件,這些器件帶有與Nexperia的50 V器件相同的偏置電阻組合。器件具有100 mA的電流能力,並已獲得AEC-Q101認證。

Nexperia產品組經理Frank Matschullat評論道:“新型EV應用的設計工程師可以使用Nexperia的新型RET來簡化系統設計、節省PCB空間、減少貼片時間並提高可 靠性,從而確保系統能夠滿足未來需求。除了48 V汽車電路驅動器應用外,通用開關和放大及其他數字系統也將從這些新型高壓器件中受益。”

80 V RET現在提供SOT23、SOT323和SOT363封裝。更多信息,包括產品規格和數據手冊,請訪問www.nexperia.com/RETs

關於Nexperia
Nexperia,作為半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家,其產品廣泛應用於全球各類電子設計。公司豐富的產品組合包括二極體、雙極性晶體 管、ESD保護器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應電晶體(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位於荷蘭奈梅亨,每年可交付900多億件產品,產品符合汽車行業的嚴苛標準。其產品在效率(如工 藝、尺寸、功率及性能)方面獲得行業廣泛認可,擁有先進的小尺寸封裝技術,可有效節省功耗及空間。

憑藉幾十年來的專業經驗,Nexperia持續不斷地為全球各地的優質企業提供高效的產品及服務,並在亞洲、歐洲和美國擁有超過12,000名員 工。Nexperia是聞泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司,擁有龐大的智慧財產權組合,並獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001認證。