基於MasterGaN®平臺的創新優勢，意法半導體推出了MasterGaN2，作為新系列雙非對稱氮化鎵(GaN)電晶體的首款產品，是一個適用於軟開關有源鉗位元反激拓撲的GaN集成化解決方案。
兩個650V常關型GaN電晶體的導通電阻 (RDS(on))分別是150mΩ和225mΩ，每個電晶體都集成一個優化的柵極驅動器，使GaN電晶體像普通矽器件一樣便捷易用。集成了先進的驅動功能和GaN本身固有性能優勢，MasterGaN2可進一步提升有源鉗位反激式變換器等拓撲電路的高能效、小體積和輕量化優勢。
MasterGaN電力系統級封裝(SiP)系列在同一封裝中整合兩個GaN高電子遷移率電晶體(HEMT)和配套的高壓柵極驅動器，並內置了所有的必備的保護功能。設計人員可以輕鬆地將霍爾感測器和DSP、FPGA或微控制器等外部設備直連MasterGaN器件。輸入相容3.3V-15V邏輯信號，有助於簡化電路設計和物料清單，允許使用更小的電路板，並簡化產品安裝。這種集成方案有助於提高適配器和快充充電器的功率密度。
GaN技術正在推進USB-PD適配器和智慧手機充電器向快充方向發展。意法半導體的MasterGaN器件可使這些充電器縮小體積80％，減重70％，而充電速度是普通矽基解決方案的三倍。
內置保護功能包括高低邊欠壓鎖定(UVLO)、柵極驅動器互鎖、專用關閉引腳和過熱保護。9mm x 9mm x 1mm GQFN是為高壓應用優化的封裝，高低壓焊盤之間的爬電距離超過2mm。
MasterGaN2現已量產。
詳細資訊訪問www.st.com/mastergan。