雙MOSFET器件通過節省空間、減少器件數量和提高可靠性，簡化汽車電磁閥控制電路。
半導體基礎元器件領域的高產能生產專家Nexperia今天發布獲得AEC-Q101認證的新重複雪崩專用FET (ASFET)產品組合，重點關注動力系統應用。該技術已通過十億個雪崩周期測試，可用於汽車感性負載控制，例如電磁閥和執行器。除了提供更快的關斷時間 （高達4倍）外，該技術還能通過減少BOM數量簡化設計。 
在汽車動力總成中的電磁閥和執行器控制領域，基於MOSFET的電源方案通常圍繞著升壓、 續流二極體或主動鉗位拓撲結構進行構建。第四個選擇是重複雪崩設計，利用MOSFET的重複雪崩能力來泄放在其關斷期間來自感性負載電流的能量。這種設計 與主動鉗位方案的效率相當，能夠消除對於二極體和其他器件的需求，從而最大程度地減少器件數量並降低電路複雜性。此外，這種設計還能支持更快的關斷時間， 進而提高電磁閥和繼電器等機電器件的可靠性。通常來講，這種設計只能使用基於陳舊平面技術的器件。Nexperia汽車重複雪崩ASFET產品系列專為解 決此問題而開發，能夠提供經過十億個周期測試的可靠重複雪崩功能。 此外，與升壓拓撲相比，這一產品系列可以減少多達15個板載器件，將器件管腳尺寸效率提高多達30%，從而簡化設計。
新的MOSFET在175°C時完全符合AEC-Q101汽車標準，提供40 V和60 V選項，典型RDS(ON)額定值為12.5mΩ至55mΩ。所有器件均採用公司節省空間的LFPAK56D（雙通道Power-SO8）銅夾片封裝技 術。該封裝堅固可靠，配備鷗翼引腳，實現出色的板級可靠性，併兼容自動光學檢查(AOI)，提供出色的可製造性。
Nexperia產品經理Richard Ogden解釋說：“通常，希望實現重複雪崩拓撲的工程師不得不依賴基於陳舊平面半導體技術的器件。通過在更高性能矽結構的基礎上，提供具有可靠重複雪崩功能的汽車級器件，就能增加利用其功能優勢而設計的動力總成數量。”
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Nexperia於2020年初推出了專用FET (ASFET)系列，旨在滿足業界對於最大化性能的需求。ASFET的MOSFET參數針對特定應用進行了優化。通過專注於特定的應用，可實現顯著的改 進。其他ASFET系列適用於熱插拔、以太網供電(PoE)、電池保護和電機控制應用。更多詳情，請訪問www.nexperia.com/asfets
Nexperia
Nexperia，作為半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家，其產品廣泛應用於全球各類電子設計。公司豐富的產品組合包括二極體、雙極性晶體 管、ESD保護器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應電晶體(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位於荷蘭奈梅亨，每年可交付900多億件產品，產品符合汽車行業的嚴苛標準。其產品在效率（如工 藝、尺寸、功率及性能）方面獲得行業廣泛認可，擁有先進的小尺寸封裝技術，可有效節省功耗及空間。
憑藉幾十年來的專業經驗，Nexperia持續不斷地為全球各地的優質企業提供高效的產品及服務，並在亞洲、歐洲和美國擁有超過12,000名員工。