Vishay宣布，推出B殼和C殼新產品，擴充其EP1濕鉭電容器，滿足國防和航空航天應用的需求。電容器每款電壓等級和外形尺寸器件的容量達到業內最高水平，提供徑向通孔或表面貼裝端頭，有A、B和C三種外殼代碼，每種均可選擇螺栓固定，從而提高了設計靈活性。
增強型EP1採用Vishay成熟的SuperTan® 技術，B外殼代碼和C外殼代碼器件超高容量分別達到3,600 µF~40,000 µF和5,300 µF~58,000 µF。器件電壓等級為25VDC至125VDC。EP1容值指標位居業內領先水平，其中C外殼尺寸器件80V條件下的容值達到12,000 µF，比緊隨其後的競品高33 %。電容器標準電容公差為± 20 %，同時提供公差為± 10 %的產品。
EP1採用全鉭密封外殼提高可靠性，適用於雷射制導、雷達和航空電子系統脈衝電源和能量保持應用。器件工作溫度為-55℃~+85℃，電壓降額時溫度可達+125℃，1kHz、+25℃條件下，最大ESR低至0.015 Ω。電容器有錫/鉛（Sn/Pb）端接和符合RoHS的100%純錫端接不同類型。
EP1 B和C外殼產品現可提供樣品並已實現量產。
增強型EP1採用Vishay成熟的SuperTan® 技術，B外殼代碼和C外殼代碼器件超高容量分別達到3,600 µF~40,000 µF和5,300 µF~58,000 µF。器件電壓等級為25VDC至125VDC。EP1容值指標位居業內領先水平，其中C外殼尺寸器件80V條件下的容值達到12,000 µF，比緊隨其後的競品高33 %。電容器標準電容公差為± 20 %，同時提供公差為± 10 %的產品。
EP1採用全鉭密封外殼提高可靠性，適用於雷射制導、雷達和航空電子系統脈衝電源和能量保持應用。器件工作溫度為-55℃~+85℃，電壓降額時溫度可達+125℃，1kHz、+25℃條件下，最大ESR低至0.015 Ω。電容器有錫/鉛（Sn/Pb）端接和符合RoHS的100%純錫端接不同類型。
EP1 B和C外殼產品現可提供樣品並已實現量產。
