東芝推出“TRS12A65F”和“TRS12E65F”兩款650V/12A碳化矽（SiC）肖特基勢壘二極體（SBD），這種新興材料有助於節約電能和提高電源PFC效率。共有兩種封裝類型，其中TRS12A65F使用絕緣型封裝TO-220F-2L，TRS12E65F採用非絕緣型封裝TO-220-2L。為了解決設備功耗增加的問題，東芝最新推出擁有12A正向電流的產品。這兩款新產品使用第二代優化JBS（結勢壘控制肖特基）架構，其品質因數（VF・Qcj）較使用第一代相比降至67%左右，因而具備更高的非重複性峰值正向浪涌電流和更低的正向電壓（最高1.45V），電流最大不超過97A。因此，新產品相對不易損壞，且功率損耗較低。介於高電壓和低功率損耗的特點，新款碳化矽（SiC）肖特基勢壘二極體（SBD）與擁有相同封裝尺寸的現有Si FRD產品相比，能夠適應更高的電壓和電流環境。由於新產品功率損耗降低，因此對產品的散熱需求也相應減少，從而提升了散熱裝置的效率和裕度。東芝未來還會擴展該系列產品，幫助通信設備、服務器、逆變器和其他產品提升效率並實現小型化。
特點
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較高的非重複性峰值正向浪涌電流：
- IFSM＝92A（TRS12A65F）
- IFSM＝97A（TRS12E65F）
- 較低的反向電流：IR＝0.6μA（典型值）
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兩種封裝類型：
- 絕緣型封裝TO-220F-2L（TRS12A65F）
- 非絕緣型封裝TO-220-2L（TRS12E65F）
- 工業設備的電源（基站、PC服務器，電車供電設施和雷射加工工具機等）
- 消費設備的電源（有機EL電視、音頻放大器、投影儀和多功能印表機等）