實現高密度、短小輕薄的電源系統設計優化
“憑藉二十年的MOSFET開發經驗，AOS對客戶所需的高性能和高密度電源系統設計有深刻的瞭解，這也是開關模式電源（SMPS）的關鍵差異性因素。我們推出DFN8x8和DFN5x6高壓產品系列將使我們能夠擴展超薄電源的應用範圍，從快速充電器/適配器到太陽能逆變器和電信整流器。我們DFN產品出色的晶粒封裝面積比和開爾文源極功能可節省電路板空間，實現快速切換以及通過較低的柵極振盪實現其易用性。
日前，AOS 發佈採用DFN5x6和DFN8x8 SMD封裝的700V和600V αMOS5™系列超結MOSFET。αMOS5是AOS的最新一代高壓MOSFET，旨在滿足快速充電器、適配器、PC電源、伺服器、工業電源、電信和超大規模資料中心應用的高效率和高密度需求。
新型 aMOS5 DFN8x8封裝產品的占位元面積僅為64mm²，比D2PAK縮小57％。它的封裝厚度為0.9mm，與D2PAK相比，高度降低了80％。基於DFN8x8封裝的源極電感要比與D2PAK低得多，這有助於顯著降低柵極振盪和導通損耗（Eon），並進一步提高了整個系統的可靠性。
新型aMOS5 DFN5x6封裝產品的占位元面積更為小巧，僅為30mm²，比DPAK縮小61％。它的封裝厚度僅為0.75mm，與DPAK相比，高度降低了67％。aMOS5 DFN5x6封裝的低源電感比DPAK封裝具有明顯的優勢，是快速切換和小尺寸PCB佈局應用的理想選擇。
除此之外，aMOS5 DFN8x8可以進行開爾文源連接（Kelvin source connection），可通過減少獨立電源和驅動源的導通損耗來大大提高開關性能。
AOS現已推出第一批基於aMOS5 DFN封裝的功率MOSFET，它們是採用DFN8x8封裝的210mOhm 600V器件(AONV210A60)以及分別以DFN5x6封裝的660mOhm和1.6Ohm 兩個700V型號(AONS660A70F 和AONS1R6A70)。未來的DFN產品系列將提供範圍更廣的通態電阻（RDS（on））。AOS aMOS5 DFN8x8和DFN5x6封裝產品還具有一級濕度敏感等級（MSL1），這也意味著其具備在車間更長的使用期限和更少的維護需求。
“憑藉二十年的MOSFET開發經驗，AOS對客戶所需的高性能和高密度電源系統設計有深刻的瞭解，這也是開關模式電源（SMPS）的關鍵差異性因素。我們推出DFN8x8和DFN5x6高壓產品系列將使我們能夠擴展超薄電源的應用範圍，從快速充電器/適配器到太陽能逆變器和電信整流器。我們DFN產品出色的晶粒封裝面積比和開爾文源極功能可節省電路板空間，實現快速切換以及通過較低的柵極振盪實現其易用性。