2020年3月5日– Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS）功率半導體和功率IC的開發商和全球供應商，今天宣布發布採用SMD-type DFN5x6和DFN8x8封裝的700V和600VαMOS5™ Super Junction MOSFET系列。 αMOS5是AOS的最新一代的高壓MOSFET，設計可滿足快速充電器的高效率和高密度需求，Adapter, PC Power, Server, Industrial Power, Telecom, and Hyperscale Datacenter 應用。
新型αMOS5 DFN8x8產品的佔板面積僅為64mm²，比D2PAK小57％。它的包裝厚度為0.9毫米，與D2PAK相比高度降低了80％。與DFN8x8封裝相比，DFN8x8封裝的源極電感要低得多D2PAK有助於顯著減少閘極振鈴和導通損耗（Eon），並進一步提高整個系統的可靠性。
新型αMOS5DFN5x6產品的佔板面積更小巧，僅為30mm²，比DPAK小61％。它的包裝厚度僅為0.75mm，與DPAK相比，高度降低了67％。 αMOS5 DFN5x6封裝的低源極電感與DPAK封裝相比，具有明顯的優勢，對於小型化PCB布局較理想選擇。
第一個αMOS5 DFN產品將以600V DFN8x8（AONV210A60） 210m ohm及兩個700V DFN5x6中分別為660m ohm和1.6 ohm（AONS660A70F和AONS1R6A70）。未來DFN產品系列將提供範圍更廣的Rds（on）。AOS αMOS5 DFN8x8和DFN5x6也是具有MSL1等級，意味著更長的壽命與減少維護需求。