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基于ST MasterGaN1+L6599A的250瓦LLC谐振直流变换器開發板: EVLMG1-250WLLC

EVLMG1-250WLLC参考设计是一个250W谐振转换器,电路板尺寸是100mm x 60mm,最高元件高度是35mm。EVLMG1-250WLLC是一个400V输入的电源参考设计,提供一个24V/10A输出,最高能效超過94%。得益于MasterGaN內部集成的安全功能,变换器输出有短路和过流...more

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世平安森美推出新一代GaN氮化镓/SiC碳化硅MOSFET高压隔离驱动器NCP51561 应用于高频小型化工业电源

现阶段硅元件的切换频率极限约为65~95kHz,工作频率再往上升,将会导致硅MOSFET耗损、切换损失变大;再者Qg的大小也会影响关断速度,而硅元件也无法再提升。因此开发了由两种或三种材料制成的化合物半导体GaN氮化镓和SiC碳化硅功率电晶体,虽然它们比硅更难制造及更昂贵,但也具有独特的优势和优越的...more

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基于 ON Semiconductor NCP13992+NCP1618+ Gan Systems的 Multi Mode PFC+LLC+GaN Fet之750W高效能通讯电源方案

通讯的建设为交换式电源(SMPS)业者带来了巨大商机,但这一巨大商机同时也为通讯电源设计者带来了新的挑战。对于通讯资料中心及大型基地台,多数采用扩充现有设备容量的方式来建设新的通讯设备,其中留给新的通讯所需电能的电源柜空间往往极其有限,甚至只能采用原有电源柜。在这些情况下电源柜的输出功率需要大幅增加...more

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基于安森美半导体NCP1342驱动GAN--65W 1A1C -超小尺寸PD快充电源方案

此电源设计最大输出功率为65W,配备1A1C双口输出,单USB-C口输出65W(20V/3.25A),单USB-A口输出;双口同时输出时,C+A同降为5V 方案全系列采用双面板、最简化设计理念,尺寸才51X51X31mm!上下两片1.0mm左右厚铜散热既满足EMI又导热好! 通标变压器设计,21V效...more

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世平基于安森美半导体 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 应用于小型化工业电源供应器方案

安森美GAN_Fet驱动方案(NCP51820)。 数十年来,硅来料一直统治著电晶体世界。但这个状况在发现了砷化镓(GaAs)和砷化镓、磷(GaAsP)等不同特性的材料后,已经逐渐开始改变。由开发了由两种或三种材料制成的化合物半导体,它们具有独特的优势和优越的特性。但问题在于化合物半导体更难制造且更...more

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基于安森美半导体有源钳位的NCP1568搭配GaN的65W PD电源适配器

电源适配器曾在电子产品中占据相当大的空间,而市场对于高功率密度的需求也正日益增高。过去硅(silicon)电源技术的发展与创新曾大幅缩减产品尺寸,但却难有更进一步的突破。在现今的尺寸规格下,硅材料已无法在所需的频率下输出更高的功率。对于未来的5G无线网络、机器人,以及再生能源至数据中心技术,功率将是...more

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基于安森美半导体高频率准谐振NCP1342搭配GaN的65W PD电源适配器

电源适配器曾在电子产品中占据相当大的空间,而市场对于高功率密度的需求也正日益增高。过去硅(silicon)电源技术的发展与创新曾大幅缩减产品尺寸,但却难有更进一步的突破。在现今的尺寸规格下,硅材料已无法在所需的频率下输出更高的功率。对于未来的5G无线网络、机器人,以及再生能源至数据中心技术,功率将是...more

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基于Navitas NV6115 氮化镓功率芯片的高效高功率密度150W电源解决方案

传统的功率半导体被设计用来提升系统的效率以及减少能量损失。可是实际上,出于两个方面的原因-传导和开关切换,设备可能会出现能量损失。GaN FET为第三代功率半导体技术,其改善开关切换的延迟时间。纳微(Navitas)半导体公司是世界上第一家的氮化镓( GaN )功率芯片公司。所谓的氮化镓功率芯片,其...more

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