现阶段硅元件的切换频率极限约为65~95kHz,工作频率再往上升,将会导致硅MOSFET耗损、切换损失变大;再者Qg的大小也会影响关断速度,而硅元件也无法再提升。因此开发了由两种或三种材料制成的化合物半导体GaN氮化镓和SiC碳化硅功率电晶体,虽然它们比硅更难制造及更昂贵,但也具有独特的优势和优越的
为提供您更多优质的内容,本网站使用 cookies 分析技术。若继续阅览本网站内容,即表示您同意我们使用 cookies,若不同意请关闭浏览器的 cookie 功能,关于更多资讯请阅读 Cookie 政策平台服务条款