世平安森美推出新一代GaN氮化镓/SiC碳化硅MOSFET高压隔离驱动器NCP51561 应用于高频小型化工业电源

现阶段硅元件的切换频率极限约为65~95kHz,工作频率再往上升,将会导致硅MOSFET耗损、切换损失变大;再者Qg的大小也会影响关断速度,而硅元件也无法再提升。因此开发了由两种或三种材料制成的化合物半导体GaN氮化镓和SiC碳化硅功率电晶体,虽然它们比硅更难制造及更昂贵,但也具有独特的优势和优越的特性,使得这些器件可与寿命长的硅功率LDMOS MOSFET和超结MOSFET竞争。

GaN和SiC器件在某些方面相似,可以帮助下一个产品设计做出更适合的决定。 GaN氮化镓是最接近理想的半导体开关的器件,能够以非常高的效能和高功率密度来实现电源转换。其效能高于当今的硅基方案,轻松超过服务器和云端资料中心最严格的80+规范或 USB PD 外部适配器的欧盟行为准则 Tier 2标准。

由于GaN氮化镓元件在高频时,在导通与切换上仍有较佳的效能、可靠度高,也能促使周边元件尺寸进一步缩小,并提升功率密度; 因此在现今电源供应器的体积被要求要越来越轻巧,且效率却不能因而降低的应用中,如电竞电脑、电信通讯设备、资料中心服务器…等需要更好电源转换效率的电源供应器应用,已有GaN氮化镓功率元件开始被导入。

场景应用图

sceneryUrl

展示版照片

frontUrlbackUrl

方案方块图

funcUrl

标准线路图

other1Url

ANB死区时间波形

other2Url

死区时间 (DT vs. RDT)

other3Url

VCC欠压锁定保护波形

other4Url

电流驱动能力

other5Url

核心技术优势

1. 两个输出驱动器拥有独立 UVLO 保护 2. 输出电压为 6.5V 至 30V,具有 5-V、8-V 和 17-V UVLO 阈值 3. 4A峰值电流源,8A峰值电流吸收 4. 150 V/ns dV/dt 抗扰度 5. 36 ns 典型传递延迟 6. 8 ns 最大延迟匹配 7. 可编程输入逻辑 8. 通过 ANB 的单或双输入模式 9. 可编程死区时间 10. Enable功能 11. 隔离与安全 a. 从输入到每个输出的5kVRMS电流隔离和输出通道之间的1200 V峰值差分电压 b. 1200 V工作电压(根据VDE0884−11要求)

方案规格

1. 双低侧、双高侧或半桥驱动器 2. 输出电源电压为 6.5V 至 30V,具有 5-V、8-V 和 17-V UVLO 阈值 3. 4A峰值电流源,8A峰值电流吸收

技术文档

类型标题档案
硬件Power Test Report
硬件Gerber
硬件Datasheet