电源适配器曾在电子产品中占据相当大的空间，而市场对于高功率密度的需求也正日益增高。过去硅(silicon)电源技术的发展与创新曾大幅缩减产品尺寸，但却难有更进一步的突破。在现今的尺寸规格下，硅材料已无法在所需的频率下输出更高的功率。对于未来的5G无线网络、机器人，以及再生能源至数据中心技术，功率将是关键的影响因素。GaN作为款能带隙材质，在电子迁移率远远高于硅，输出电容也大大小于硅，致使其可工作在更高频率以致变压器尺寸可以做的更小来实现更高功率的小尺寸电源。
►场景应用图
►展示板照片
►方案方块图
►核心技术优势
控制ZVS的频率会随着输出电压的改变而改变，可根据输出条件自动调节死区时间，峰值电流控制模式 DCM & 轻载 可通过外部电阻设置进入DCM阈值 最小工作频率是31KHz 采用quiet skip模式，降低空载噪声 待机功耗 < 30mW HV Startup 最大耐压值达700V 单独SW PIN侦测主MOS的Vds电压实现ZVS 同时集成了BO与X2电容放电功能 Oscillator 可外部设置工作频率从100 kHz 到 1 MHz 有软起动功能 频率抖动减少EMI干扰
►方案规格
AC输入范围：90V-265VAC 功率密度=30W/in3 采用NCP1568（ACF控制器）+NCP51820（GaN 半桥驱动器） + GS-065-011-1-L（GaN HEMTS） 在满载与轻载具有高效率 高工作频率最高到450kHz 具有SCP和OCP保护功能 具有过热保护和OVP保护功能 根据输入与输出条件自动调节工作频率及工作模式 可ZVS侦测 平稳启动