基于Navitas NV6115 氮化镓功率芯片的高效高功率密度150W电源解决方案

传统的功率半导体被设计用来提升系统的效率以及减少能量损失。可是实际上,出于两个方面的原因-传导和开关切换,设备可能会出现能量损失。GaN FET为第三代功率半导体技术,其改善开关切换的延迟时间。纳微(Navitas)半导体公司是世界上第一家的氮化镓( GaN )功率芯片公司。所谓的氮化镓功率芯片,其中 GaN 驱动器、GaN FET 和 GaN 逻辑单元的单片集成,并全部采用 650V GaN 工艺,从而实现许多软开关拓扑和应用中的高速、高频率、高效率操作。

该方案采用NV6115 与 NV6117 氮化镓功率芯片 并且搭配 ONSEMI 半导体的 LLC 驱动器NCP13992与 同步整流驱动芯片NCP4306,其中 PFC驱动为NCP1615 。本电源解决方案为输入85-260VAC 输出 DC19.5V/7.69A,其简化布局并减少外部组件数,采用跳周期模式提升轻载能效,并集成一系列保护特性以提升系统可靠性。这150W 方案的体积为 103mm x 55mm x 17mm ,这个体积尺寸是市面上其他方案的2/3。本方案的PFC 采用开关频率为100~200KHz / LLC采用开关频率为270KHz,并且在满负载又不需要外加风扇去散热的情况下其转换效率高于95.2%。用于工业电源大功率电源系统应用,可显著实现轻载和满载时的高能效及超低待机能耗。

场景应用图

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产品实体图

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