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最佳解


您好,PI GaN技術與以往不同,PI是取GaN此材料的特性,也就是更低的ciss與Rds_on,利用此特性將之包在與一般mosfet同一包裝中,換而言之,無論是GaN或非GaN的innoswitch3,都是pin to pin且同樣包裝的可以共用的,因此相較於現今GaN走高頻的方式有所不同,PI仍是操作在100KHz左右,用以兼顧EMI的margin,還與您討論與參考,謝謝~

另外,是否可與您請教貴司的聯絡訊息,以利未來有任何問題,都可保持聯繫與討論,也與您介紹PM與您認識,謝謝~

FAE:

James/james.su@aitgroup.com.tw

PM:

Gillian/gillian.cheng@aitgroup.com.tw

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