日前，集设计、研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体、芯片及数字电源产品供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS) 推出采用优化的TO-247-4L封装，符合AEC-Q101标准的新型1200V碳化硅MOS管（αSiC MOSFET）—AOM033V120X2Q。这款1200V 碳化硅MOS管为可接受15V标准栅极驱动器的TO-247-4L车规封装，并提供行业内领先的最低导通电阻，满足电动汽车（EV）车载充电机、电机驱动逆变器和车载充电桩的高效率和可靠性要求。
随着电动汽车市场每年以成数百万个单位的加速发展，汽车制造商正越来越多地实现800V电气系统，用以减小系统尺寸和重量的同时也延长了EV续航里程距离，并显着提高其充电速度。AOS 1200V车规级αSiC MOSFET专为这些苛刻的应用要求而设计，与传统的硅器件相比，具有卓越的开关性能和效率。
AOM033V120X2Q是1200V / 33mΩ SiC MOS管，其在我们的第二代αSiC MOSFET平台的基础上，采用TO-247-4L优化封装。与标准3脚封装不同，使用额外的开尔文源极(Kelvin Source)感测引脚可降低封装内部回路上的寄生电感，使得该器件能够在更高的开关频率下工作。与标准封装相比，开关损耗最多可降低75％。其栅极驱动电压仅为15V，可以使栅极驱动器具有最广泛的兼容性，从而易于在各种系统设计中采用。此外，αSiC MOSFET在高温175°C下导通电阻的增加非常小，大幅度地降低功率损耗并进一步提高效率。
“为了持续推进电动汽车技术取代传统内燃机为主的交通运输工具，汽车制造商正在努力扩大续航里程并缩短充电时长。随着我们发布符合车规验证标准资格的1200V αSiC MOSFET，AOS可以为设计人员提供更先进的下一代半导体技术，以提高效率达成能效目标”。AOS宽禁带产品高级总监David Sheridan表示，“由于产品性能，可靠性和具有批量生产能力的供应链相结合，我们的客户选择了我们的技术”。
αSiC MOSFET产品组合将于今年下半年扩展，包括更广泛的静态导通电阻和更多封装选项，以及更多通过AEC-Q101车规验证标准资格的产品，请您拭目以待。
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通过AEC-Q101车规验证标准资格，且提供汽车产业供应链中使用的质量保证程序PPAP报告；
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最高工作结温175°C；
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低导通电阻且不易受温度影响；
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低Qrr和高可靠的寄生二极管；
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使用额外的开尔文源极(Kelvin Source)感测引脚以实现快速低损耗切换
关于AOS
Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS）为集设计、开发生产与全球销售一体的功率半导体供应商，AOS提供广泛的功率半导体产品线，包括完整的Power MOSFET, IGBT, IPM, TVS, HVIC, SiC/GaN, Power IC以及数字电源产品系列。AOS开发了广泛的知识产权和技术知识，涵盖功率半导体行业的最新进展，使我们能够引入并创新产品，以满足先进电子产品日益复杂的功率要求。AOS的特色在于通过其先进的分立器件和IC半导体工艺制程、产品设计和先进的封装技术，来开发高性能电源管理解决方案。其产品组合广泛应用于包括便携式电脑、平板电视、LED照明、智能手机、电池组、面向消费类和工业类电机控制以及电视、计算机、服务器和电信设备的电源。欲了解更多信息，请访问AOS官方网站www.aosmd.com。