英飞凌推出全新 CoolSiC™ MOSFET:无冷却风扇的免维护伺服驱动器

日期 : 2020-11-16
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英飞凌 CoolSiC™ MOSFET 伺服驱动器 D2PAK-7

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英飞凌科技股份有限公司支援机器人与自动化产业实作免维护的马达变频器。借由推出采用 最佳化 D2PAK-7 SMD 封装,搭载 .XT 互连技术的全新 1200 V CoolSiC™ MOSFET,可实现被动冷却。相较于硅基解决方案,其损耗可降低达 80%,因此不再需要冷却风扇与相关服务。此装置能够在伺服驱动器解决方案的各种额定功率实现高效率,其他受惠于此 SMD 装置的应用包括精简的充电基础设施及工业电源供应器。

英飞凌工业电源控制事业部总裁 Peter Wawer 表示:“无冷却风扇的自动化解决方案在节省维护作业与材料方面,开启了新局。借由结合 CoolSiC 沟槽式 MOSFET 芯片与 .XT 互连技术,可提升小尺寸封装的散热与循环能力。这也有助于将驱动器精简地整合进马达或机器人手臂。”

搭载 .XT 互连技术的全新 1200 V CoolSiC™ MOSFET,可实现被动冷却。相较于硅基解决方案,其损耗可降低达 80%,因此不再需要冷却风扇与相关服务。

 伺服驱动器是制造设备马达的“启动器”,SiC MOSFET 的电阻传导损耗及可完全控制的切换暂态,能够完美配合这类马达的负载曲线。系统损耗可望降低 80%,相同 EMC 等级的 IGBT 解决方案 (dv/dt 为 5 至 8 V/ns 时) 也不例外。全新 CoolSiC MOSFET SMD 装置的短路承受时间为 3 µs,符合电感器相对小且缆线较短的伺服马达的需求。

此全新产品组合额定值介于 30 mΩ 至 350 mΩ。.XT 技术透过芯片封装互连能力,较标准封装可额外散发 30% 的损耗。CoolSiC .XT 产品组合具备同级最佳的热效能与循环能力,因此相较标准技术,输出电流可增加 14%、切换频率加倍、操作温度可降低 10 至 15 度。

供货情况
D2PAK-7 封装的 1200 V CoolSiC MOSFET 现已开放订购。英飞凌预计在2021年将此 SMD 封装产品组合延伸至 650 V,并提供超过 18 种全新产品 (RDS(on) 25 至 200 mΩ) 的工程样品。详细资讯请浏览 www.infineon.com/coolsic-mosfet。