当代的电源系统设计需求高功率密度等级和精巧的外型尺寸，以期得到最高的系统级效能。英飞凌科技股份有限公司 透过专注于元件级的强化达到系统创新，来应对此一挑战。继2 月份推出 25 V 装置后，英飞凌再推出 OptiMOS™ 40 V 低电压功率 MOSFET，采用源极底置 (SD, Source-Down) PQFN 封装，尺寸为 3.3 x 3.3 mm2。这款 40 V SD MOSFET 适用于服务器的 SMPS、电信和 OR-ing，还适用于电池保护、电动工具和充电器等应用。
SD 封装的内部采用上下倒置的芯片。如此一来，让源极电位 (而非汲极电位) 能透过导热片连接至 PCB。与现有技术相比，此版本最终可使 RDS(on) 大大降低 25%。相较于传统的 PQFN 封装，接面与外壳间的热阻 (RthJC) 亦获得大幅改善。SD OptiMOS 可承受高达 194 A 的高连续电流。此外，经过最佳化的配置可能性和更有效的 PCB 利用，可实现更高的设计灵活性和最高效能。
供货情况
OptiMOS SD 40 V 低电压功率 MOSFET 提供两种版本：标准版和中央闸极版。中央闸极版针对多部装置并联作业进行最佳化。两个版本皆采用 PQFN 3.3 x 3.3 mm2 封装，即日起接受订购。欲获得更多资讯请浏览 www.infineon.com/source-down。