专为强化谐振拓扑运作效能打造 英飞凌全新 650 V CoolMOS™ CFD7 登场

日期 : 2020-10-08
标签 :
英飞凌 650 V CoolMOS™ CFD7

新闻内容

在工业应用 SMPS 的设计上,最新的技术趋势会将高效率、高功率密度及汇流排电压上升的需求作整体考量,也因此触发了对 650V耐电压功率元件的需求。英飞凌科技股份有限公司 (FSE:IFX/OTCQX:IFNNY) 旗下 650 V CoolMOS™ CFD7 产品系列即可满足上述需求。此装置适用于软切换应用的谐振拓扑,例如电信电源、服务器、太阳能和非车载的电动车充电。

由于闸极电荷 (Qg) 改善,加上快速的切换效能,650 V CoolMOS CFD7 系列可提高整个负载范围的效率。在主要的SMPS应用中,相较于竞争产品,这些 MOSFET提供绝佳的轻载效率,满载效率也有所提升。此外,同级最低 RDS(on) 也能让客户能以极具竞争力的价格,提升 SMPS 的功率密度。

 

新款 650 V装置扩展了声誉卓越的 CoolMOS CFD7 系列的电压范围,且为 CoolMOS CFD2 的后继产品。新款 650 V 产品可搭配 LLC 和零电压切换相移全桥拓扑,较前几代产品能提供多项优势。本产品系列耐电压提升 50 V,搭配整合高速本体二极体技术及更出色的切换效能,非常适合用于当代设计。极低的逆回复电荷加上优异的散热特性,也添加了更多优势。

切换损耗与 RDS(on) 过热相依性皆大幅降低,此产品系列具备非常优异的硬式整流耐用度。由于闸极电荷 (Qg) 改善,加上快速的切换效能,650 V CoolMOS CFD7 系列可提高整个负载范围的效率。在主要的SMPS应用中,相较于竞争产品,这些 MOSFET提供绝佳的轻载效率,满载效率也有所提升。此外,同级最低 RDS(on) 也能让客户能以极具竞争力的价格,提升 SMPS 的功率密度。

供货情况
TO-220、TO-247 及 TO-247 4 针脚封装的 650 V CoolMOS CFD7 即日起接受订购。详细资讯请浏览 www.infineon.com/650V-CFD7