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					ST推出<a href="https://www.st.com/en/wireless-transceivers-mcus-and-modules/bluenrg-2n.html?icmp=tt17504_gl_pron_sep2020">BlueNRG-2N</a> 蓝牙5.0认证网路处理器，新产品可降低功耗、支援最新蓝牙功能、提升资料输送量，同时加强隐私安全保护。
 
BlueNRG-2N网路辅助处理器预装蓝牙通讯协定，可以帮助主控制器建立<a href="https://www.st.com/en/applications/connectivity/bluetooth-low-energy.html?icmp=tt17504_gl_pron_sep2020">蓝牙连线</a>。该辅助处理器不仅可以简化产品开发流程，厂商还可单独调整主系统的性能、功能和成本。因此，智慧医疗穿戴式装置、PC外部周边、遥控器、灯具、工业和家庭自动化等产品的设计人员可以优化其微控制器选择，以满足特定产品的型号需求。
 
BlueNRG-2N最新蓝牙强化功能包括支援资料长度扩充，该功能可将韧体无线更新（Over-The-Air，OTA）速度提升到原来的2.5倍，并将应用级资料传输速度提高到700kbit/s。此外，BlueNRG-2N还支援了Bluetooth LE Privacy 1.2，无需主处理器介入即可频繁地更改位址，以防止装置被追踪，这些功能不会增加系统的功耗。
 
BlueNRG-2N预装数位签章蓝牙LE协定堆叠，节省开发成本的同时，保持无线升级的弹性。内建影像验证技术会验证下载的韧体，只让通过数位签章的韧体影像档执行，以加强网路安全性。
 
相较前几代BlueNRG产品，新一代产品的功耗更低，发射电流和接收电流亦更低，在停机模式下，执行BLE协定时，运作电流仅900nA。在降低功耗的同时，还能保持强大而可靠的射频性能，射频输出功率可设定，最大+ 8dBm，链路预算高达96dB。
 
BlueNRG-2N是意法半导体的BlueNRG<a href="https://www.st.com/en/wireless-transceivers-mcus-and-modules/bluetooth-bluetooth-low-energy.html?icmp=tt17504_gl_pron_sep2020">低功耗蓝牙芯片</a>家族的最新成员，可满足各种无线系统设计的要求，主要产品特性与<a href="https://www.st.com/en/wireless-transceivers-mcus-and-modules/bluenrg-2.html?icmp=tt17504_gl_pron_sep2020">BlueNRG-2</a>蓝牙5.0认证系统芯片（SoC）相同，系统芯片同样具备一个可程式设计Arm®　Cortex®-M0微控制器，因此，同一元件可以执行主要应用程式和蓝牙通讯协定。使用BlueNRG芯片的开发人员可以利用功能强大，而且友善的STM32*线上开发环境（Online Development Environment，ODE），包括STM32CubeMX GUI外挂程式，来启动开发专案。
 
作为BlueNRG系列的私人网路络辅助处理器产品，BlueNRG-2N现已量产，并已纳入意法半导体的10年产品供货计画。<a href="https://estore.st.com/en/bluenrg-234n-cpn.html?icmp=tt17504_gl_pron_sep2020">BlueNRG-234N</a>采用2.66mm x 2.56mm WLCSP34芯片级封装；而<a href="https://estore.st.com/en/bluenrg-232n-cpn.html?icmp=tt17504_gl_pron_sep2020">BlueNRG-232N</a>则采用5mm x 5mm QFN32封装。
 
更多资讯，请造访：<a href="https://www.st.com/bluenrg-2n-pr">https://www.st.com/bluenrg-2n-pr</a>。 <img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/vendornews/temp_folder/21_1602040933/tinymce/20201007_7.jpg" alt="">				</div>
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意法半导体推出集便利性、扩充性与Bluetooth®  5.0功能和 安全性于一身的BlueNRG-2N网路处理器

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世界上首个单封装整合硅基驱动芯片和GaN功率电晶体的解决方案
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相较硅充电器和转接器，其尺寸缩小80%，重量减轻70%，且充电速度提升3倍
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ST推出世界首款嵌入硅基半桥驱动芯片和一对氮化镓（GaN）电晶体的<a href="https://www.st.com/en/power-management/mastergan1.html?icmp=tt17502_gl_pron_sep2020">MasterGaN®</a>产品平台。该整合化解决方案将有助于加速最高400W之下一代轻量节能消费性电子、工业充电器，以及电源转接器的开发速度。
 
<a href="https://www.st.com/content/st_com/en/about/innovation---technology/GaN.html">GaN技术</a>使电力装置能够处理更大功率，同时装置本身将变得更小、更轻，而且更节能。这些改良将会改变智能手机超快充电器和<a href="https://www.st.com/en/power-management/wireless-charger-ics.html">无线充电器</a>、PC和游戏机的USB-PD高功率配置转接器，以及太阳能储电系统、不断电供应系统或高阶OLED电视机，还有云端服务器等工业应用。
 
在目前的GaN市场上，<a href="https://www.st.com/en/power-transistors.html">功率电晶体</a>和驱动IC通常是离散元件，这使设计人员必须学习两者间的协同作业，以达到最佳性能。意法半导体的MasterGaN绕过了这一挑战，缩短了产品上市时间，并获得预期的性能，同时使封装变得更小、更简单、电路元件更少，而且系统变得可靠性更高。透过GaN技术和意法半导体整合式产品的优势，采用新产品的充电器和转接器将相较普通硅基解决方案尺寸缩减80％，重量亦降低了70％。
 
意法半导体执行副总裁、类比产品分部总经理Matteo Lo Presti表示，“ST独有的MasterGaN产品平台透过我们经过市场检验的专业知识和设计能力，再整合高压智慧功率BCD制程与GaN技术而成，能够加速开发兼具节省空间、高效能的产品。”
 
MasterGaN1是意法半导体新产品平台的首款产品，其整合两个半桥配置的GaN功率电晶体和半桥驱动芯片。
 
MasterGaN1现已量产，采用9mm x 9mm GQFN封装，厚度仅1mm。
 
意法半导体还提供一个产品评估板，为客户快速启动电源产品专案。
 
技术资讯
MasterGaN平台利用意法半导体STDRIVE 600V闸极驱动芯片，以及GaN高电子迁移率电晶体（High-Electron-Mobility Transistor，HEMT）。9mm x 9mm GQFN薄型封装确保高功率密度，为高压应用而设计，高低压焊盘间的爬电距离大于2mm。
 
该产品系列有多种不同的GaN电晶体尺寸(RDS(ON))，并以脚位相容的半桥产品形式供货，方便工程师升级现有系统，并尽可能降低更改硬体的程序。在高阶的高效能拓扑结构中，例如，带有源钳位的反激或正激式变换器、谐振无桥图腾柱PFC（功率因数校正器），以及在<a href="https://www.st.com/en/power-management/ac-dc-converters.html">AC/DC</a>和<a href="https://www.st.com/en/applications/power-supplies-and-converters/dc-dc-converters.html">DC/DC变换器</a>，以及DC/AC逆变器中使用的其它软开关和硬开关拓扑，低导通损耗和无体二极体恢复两大特性，使GaN电晶体可以提供卓越的效能和更高的整体性能。
 
MasterGaN1有两个时序参数精确匹配的常关电晶体，最大额定电流为10A，导通电阻(RDS(ON)) 为150mΩ。逻辑输入脚位相容3.3V至15V的讯号，另配备全面的保护功能，包括高低边UVLO欠压保护、互锁功能、关闭专用脚位和过热保护。
 
更多资讯，请造访：<a href="http://www.st.com/mastergan1-pr">www.st.com/mastergan1-pr</a>。 <img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/vendornews/temp_folder/21_1601975624/tinymce/20201006_1.jpg" alt="">				</div>
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