继推出EconoDUAL 和 Easy 封装的TRENCHSTOP IGBT7 技术之后，英飞凌科技股份有限公司近日再推出领先业界，基于分立式封装，崩溃电压为650 V 的 TO-247 封装版本。
最新的 TRENCHSTOP 系列产品组合包含 20 A、30 A、40 A、50 A 和 75 A 等级的额定电流，既可用于取代前代技术，也能与前代技术并行使用。该版本的 IGBT7 尤其适用于工业马达驱动、功率因数校正、太阳能光电和不断电系统等应用。
由于采用新型围沟槽技术，TRENCHSTOP IGBT7 芯片的静态损耗大幅降低。在相同的电流等级下，TRENCHSTOP IGBT7的导通电压可降低 10%。这使应用的损耗大幅降低，尤其是通常在中等开关频率下运作的工业驱动应用等。IGBT T7 技术具有非常低的饱和电压 (VCE(sat))，并与第 7 代射极控制二极体(EC7)共同封装，正向电压 (VF)可降低 150 mV，同时还能提高反向恢复柔性。
本装置具有优异的可控性和卓越的 EMI 效能，能针对应用轻松调整，以提供最佳的 dv/dt 和切换耗损的最佳比率。650V TRENCHSTOP IGBT7 能为应用提供所需的抗短路能力。此外，装置已通过 JEDEC 标准的 HV-H3TRB (高压、高湿及高温的反向偏压) 测试，证明该装置在常见工业应用的高湿度环境中具有良好的耐用性。
供货情况
650 V TRENCHSTOP IGBT7分立式装置即日起接受订购。详细资讯请浏览 https://www.infineon.com/igbt7。