英飞凌推出先进硫化氢防护功能产品 助力延长 IGBT 模组寿命

日期 : 2020-07-10
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英飞凌 IGBT

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强固性及可靠性决定了模组在严峻应用环境中的使用寿命。尤其是暴露于硫化氢 (H2S) 的环境,对于电子元件的使用寿命更有严重的影响。为解决此项威胁,英飞凌科技股份有限公司 (FSE:IFX/OTCQX:IFNNY) 开发了一项独有的防护功能,推出搭载 TRENCHSTOP™ IGBT4 芯片组的 EconoPACK™ + 模组 – 这是 Econo 系列第一款为变频器应用提供此防护等级的产品。达到 H2S 严重等级的严峻环境常见于制纸、采矿、废水和石化处理流程以及橡胶产业。

搭载 TRENCHSTOP™ IGBT4 芯片组的 EconoPACK™ + 模组 – 这是 Econo 系列第一款为变频器应用提供此防护等级的产品。
H2S 对功率半导体来说是腐蚀性最严重的污染物。由于 IGBT 模组的温度在运作期间通常会升到非常高,再加上高电压和 H2S 的污染,都会加快硫化铜 (Cu2S) 结晶的成长速度。这些导电结构在陶瓷基板上 DCB 的沟槽内形成,在最糟情况下将导致短路。若 IGBT 模组提前故障,将会大幅缩短变频器的使用寿命。英飞凌先进的 H2S 防护功能可防止硫化氢进入模组,避免其接触到重要区域。这是独一无二,也最有效的方法。

该模组所有的电气、热和机械参数均保持不变,也具备与标准模组相同的特性,而且能延长系统在严峻环境条件下运作的使用寿命。为此,英飞凌还特别开发专属的 HV-H2S 测试,确保 IGBT 模组在特定条件下运作的品质符合 ISA 71.04-2013 标准。此标准依照污染物影响程度定义了从“轻度 (G1)”到“严重 (GX)”等四个严重性等级。 英飞凌的测试涵盖广泛的工业应用,并提供质化方法,用于评估 IGBT 模组的可靠性。

采用英飞凌 H2S 技术防护 的IGBT 模组在定义的 HV-H2S 测试条件下不会有枝晶增生的情况。因此,装置预期可达到 ISA 71.04“恶劣 (G3)”严重性等级 (≤ 2000 Å/50 ppb) 的使用寿命上限,可达 20 年。具备防护功能的 EconoPACK+ 可直接取代标准模组,省去成本高昂且耗时的设计工作。此外,采用变频器系统的公司也能省去过多的防护措施,像是额外的室内通风、安装区域的温度与湿度控制,或甚至变频器的密封式机柜。

供货情况
具备先进 H2S 防护功能的 EconoPACK+ 现已开放订购,提供 1200 V 等级的 300 A 和 450 A 版本,以及 1700 V 等级的 300 A 和 500 A 版本。EconoPIM 2 和 3 也开始提供样品。详细资讯请浏览 www.infineon.com/h2s。


PCIM 虚拟摊位
今年,英飞凌将以虚拟摊位的方式参与欧洲PCIM展会。一如往常,来宾仍可完整获得关于产品创新和应用解决方案的深入见解。英飞凌拥有最多样化的功率半导体产品组合,横跨硅、碳化硅 (CoolSiC™) 和氮化镓 (CoolGaN™) 等多项技术,持续创立业界标竿。欢迎前往线上展览会参观,请登入此处 (https://tinyurl.com/ya79qeo6) 报名。