品佳力推英飞凌1700V CoolSiC MOSFET在工业市场中的应用

英飞凌日前推出1700V SiC MOSFET， 扩充旗下CoolSiC MOSFET系列电压等级，继今年稍早推出的650V产品后，通过沟槽式半导体技术CoolSiC MOSFET增加了1700V版本。 利用碳化硅(SiC)优异的物理性能，可降低开关损耗和传导损耗并提高可靠性。

新款1700V表面贴装（SMD）产品充分发挥了碳化硅（SiC）强大的物理特性，具有更低的开闭损耗和传导损耗。1700V CoolSiC MOSFET适用于三相转换系统的辅助电源，例如：马达驱动、再生能源、充电基础设施及HVDC系统等。

全新1700V CoolSiC沟槽式MOSFET适用于+15 V/0 V闸极源极电压与一般PWM控制器兼容的反激拓扑，因此，无需门极驱动IC，就能直接以控制器来运作。

这类辅助电源应用通常功率在100W以下。在这些情况下，设计人员通常偏好采用单端反激式拓扑。采用SMD封装的1700V CoolSiC MOSFET后，甚至能在输入电压高达1000 VDC的直流母线连接辅助电路启用这种拓扑技术。使用单端反激式转换器的开关电源具有高效率和高可靠性，可应用于三相电源转换系统中，进而将尺寸缩到最小并减少物料清单。

1700V CoolSiC MOSFET采用沟槽式技术，可完美平衡效能及可靠性。它结合SiC的出色特性：在高压SMD封装中提供精巧尺寸及低损耗，有助于大幅降低辅助电源电路的复杂性。

1700V阻断电压消除了设计上针对过电压余度及电源供应器可靠性的疑虑。CoolSiC沟槽式技术具有此电压等级晶体管的最低输入电容和闸极电荷。

因此，与先进的1500V硅MOSFET相比，其功率耗损减少了50％以上，效率也提升了2.5％。与其他1700V SiC MOSFET相比，其效率提升0.6％。低损耗有助于打造尺寸精巧的SMD封装，以自然对流冷却的方式进行组装，不再需要散热器。