双脉冲测试是设计人员要了解功率装置切换特性的标准程序。为方便测试1200 V CoolSiC™ MOSFET采用 TO247 3 针脚和 4 针脚封装的驱动选项，英飞凌科技股份有限公司推出模组化评估平台，其核心包含一个主板与可互换的驱动器卡板，驱动器选项包括米勒钳制和双极供电卡；其他版本将于近期内推出。该产品系列有助于推动碳化硅成为主流，缩短多种应用的上市时程。
评估平台的主板分为一次侧和二次侧两个区块。一次侧含 12 V 供电及脉冲宽度调变 (PWM)；二次侧为驱动器的第二供电来源，以及包含用于测量驱动器卡板采用 EiceDRIVER™ 系列的驱动器 IC，适合 SiC 功率装置的高频切换，可提供两种驱动器选项的参考设计。第一个模组化驱动器卡板内含 1EDC Compact 1EDC20I12MH，整合主动米勒钳制，启动电压通常低于 2 V。第二个驱动器卡板内含 1EDC Compact 1EDC60H12AH，可提供双极供电，VCC2 为 +15 V，GND2 为负电压。本产品系列新添这两款驱动器卡板后，将涵盖设计人员在设计 SiC MOSFET 驱动时偏好使用的绝大多数选项。
供货情形
模组化评估平台的三项元件 – 主板、米勒钳制及双极驱动器卡板已开放订购。本产品系列将在 2020 年夏季再添一款用于侦测短路的驱动器卡板。此外，今年下半年也预计推出用于 SMD 封装测试的驱动器卡板。欲了解更多详细资讯，请浏览 www.infineon.com/tools。