日前，集设计研发，生产和全球销售一体的知名功率半导体及芯片供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出崭新1200V耐压的碳化硅MOS管 (αSiC MOSFETs)。 碳化硅为第三代半导体技术, 是一种宽能带隙材料，与当前传统的硅解决方案相比，新一代SiC技术具有高切换频率、耐高压、耐高温、低导通阻抗、低切换损失等优点；其主要定位在新能源电网、智能工业制造与新能源汽车市场的应用，因应客户在终端产品与日俱增的高效率与功率密度需求下，提供高效能、高可靠度的产品。
新一代αSiC技术特点可通过内部低栅极电阻(RG)的设计, 以及自身导通电阻(RDS.ON) 受整个操作温度影响的极小增加变化量, 进而优化了此功率器件在整个操作切换频率与工作温度范围下的静态与动态功耗，故常被用于许多工业级别的应用包括太阳能逆变器(Solar Inverter)、不间断电源系统 (UPS)、新能源汽车的车载充电机 (OBC)、充电桩 (Charger Station)、电机控制器等实现高功率密度与优化系统总成本等优点。
AOS首款推出碳化硅产品 - AOK065V120X2，这是一款采用TO-247-3L封装，具有耐压1200V、导通电阻65毫欧的αSiC MOS管。为方便兼容市面上的高压IGBT和SiC MOS管驱动设计，AOK065V120X2具备采用-5V / + 15V栅极驱动电压能力，且通过优化的系统设计，也可以使用单极驱动器的驱动电路应用。除此之外，αSiC MOS管提供强大的非钳位感应开关(UIS)能力与增强短路能力，同时可适应高达175°C的工作温度范围，因应严苛的应用环境。
除了AOS现有的硅MOS管和IGBT产品组合外，经过多年精进不休的研究与开发，我们AOS很荣幸能为客户提供新一代αSiC技术。 除了先前发布的650V 氮化镓(GaN) 产品平台外，AOS自行开发的αSiC还进一步扩大了我们在预计数十亿美元的宽禁带功率半导体市场中的地位。 我们致力于为每个客户的需求提供最佳产品技术解决方案。
——AOS宽禁带产品高级总监David Sheridan
αSiC MOSFET产品将于今年下半年推出更香的产品系列，其中包括一系列的静态导通电阻与封装，以及通过AEC-Q101车规验证标准资格的产品，请您拭目以待。
定价与供货
关于AOS
Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS)为集设计、开发生产与全球销售一体的功率半导体供应商，AOS提供广泛的功率半导体产品线，包括完整的功率PowerMOSFET, IGBT, IPM, HVIC, PowerIC以及数字电源产品系列。AOS开发了广泛的知识产权和技术知识，涵盖功率半导体行业的最新进展，使我们能够引入并创新产品，以满足先进电子产品日益复杂的功率要求。AOS的特色在于通过其先进的分立器件和IC半导体工艺制程、产品设计和先进的封装技术，来开发高性能电源管理解决方案。其产品组合广泛应用于包括便携式电脑、平板电视、LED照明、智能手机、电池组、面向消费类和工业类电机控制以及电视、计算机、服务器和电信设备的电源。欲了解更多信息，请访问AOS官方网站www.aosmd.com。