ST NPI 新上架产品【TN1605H-8G-TR】img_cart
16 A 800 V高温SCR晶闸管,稳健可靠的TN1605H-8x高温16 A 800 V SCR晶闸管 产品说明 意法半导体公司的TN1605H-8x是一款16 A 800 V SCR,采用紧凑型D2PAK SMD封装以及高散热效率通孔式TO-220AB和TO-220I封装。 TN1605H-8
ST NPI 新上架产品【STPST1H100AFY】img_cart
STPSTxH100/Y - 沟槽型功率肖特基二极管,满足高开关频率下的效率要求 产品说明 这些100V沟槽二极管专为工业和汽车应用而设计。无论采用SOD123Flat封装还是DPAK封装,都能提供灵活的解决方案,从而支持功率密度更高的设计,提升应用整体性能。 该产品系列的器件符合 AEC-Q101
ST NPI 新上架产品【STW65N023M9​-4】img_cart
STPOWER MOSFET MDmesh M9系列,采用TO247- 4封装,N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A 产品说明 该N沟道功率MOSFET基于创新超结MDmesh M9技术,具有非常低的单位面积导通电阻RDS(on),适合中/高电压MOSFET。基
ST NPI 新上架产品【STD65N160M9 商品介绍】img_cart
STPOWER MOSFET MDmesh M9系列采用DPAK封装,N沟道650 V,132 mOhm典型值,17 A  产品说明 该N沟道Power MOSFET基于创新超结MDmesh M9技术,适合中/高电压MOSFET(具有非常低的单位面积导通电阻RDS(on))。基于硅的M9技术采用多漏
ST NPI 新上架产品【STP65N045M9 商品介绍】img_cart
STPOWER MOSFET MDmesh M9系列采用TO-220封装,N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A 产品说明 该N沟道Power MOSFET基于创新超结MDmesh M9技术,适合中/高电压MOSFET(具有非常低的单位面积导通电阻RDS(on))。基
ST NPI 新上架产品【STP65N150M9 商品介绍】img_cart
STPOWER MOSFET MDmesh M9系列采用TO-220封装,N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A 产品说明 该N沟道Power MOSFET基于创新超结MDmesh M9技术,适合中/高电压MOSFET(具有非常低的单位面积导通电阻RDS(on))。