电源反接，会给电路造成损坏。不过，在实际应用中，电源反接是不可避免的，所以就需要给电路中加入保护电路，达到即使反接电源，也不会损坏电路的目的。一般可以在电源输入端串接一个二极管解决。不过由于二极管有压降，会给电路造成不必要的损耗。尤其是电池供电的场合，本来电池电压只有3.7V，二极管的压降在0.6V左右，就会导致电池的使用寿命大减。
MOS管因工艺提升，自身性质等因素，其导通内阻较小，这样造成的功耗损失就小，甚至可以忽略不计，因此选择MOS管做防反接电路是比较推荐的方式。
（1）NMOS防反接电路
如上图：电源正确连接时，上电瞬间，MOS管的寄生二极管导通，系统形成回路。源极S的电位大约为0.6V，而栅极G的电位为VBAT，MOS管的开启电压U GS = VBAT – Vs ,栅极表现为高电平，NMOS的DS间导通，寄生二极管被短路，系统通过NMOS的DS接入形成回路。当电源接反时，UGS = 0 V，NMOS管不导通，与负载回路是断开的，从而确保电路安全。
（2）PMOS防反接电路
如上图：电源正确连接时，上电瞬间，MOS管的寄生二极管导通，系统形成回路。源极S的电位大约为（VBAT- 0.6）V，而栅极G的电位为0 V，MOS管的开启电压U GS = 0 - （VBAT – 0.6） ,栅极表现为低电平。PMOS的DS间导通，寄生二极管被短路，系统通过PMOS的DS接入形成回路。当电源接反时，UGS电压 大于0 V，PMOS管不导通，与负载回路是断开的，从而确保电路安全。 注意：NMOS管将DS串到负极，PMOS管DS串到正极，寄生二极管方向朝向正确连接的电流方向
MOS管因工艺提升，自身性质等因素，其导通内阻较小，这样造成的功耗损失就小，甚至可以忽略不计，因此选择MOS管做防反接电路是比较推荐的方式。
（1）NMOS防反接电路
如上图：电源正确连接时，上电瞬间，MOS管的寄生二极管导通，系统形成回路。源极S的电位大约为0.6V，而栅极G的电位为VBAT，MOS管的开启电压U GS = VBAT – Vs ,栅极表现为高电平，NMOS的DS间导通，寄生二极管被短路，系统通过NMOS的DS接入形成回路。当电源接反时，UGS = 0 V，NMOS管不导通，与负载回路是断开的，从而确保电路安全。（2）PMOS防反接电路
如上图：电源正确连接时，上电瞬间，MOS管的寄生二极管导通，系统形成回路。源极S的电位大约为（VBAT- 0.6）V，而栅极G的电位为0 V，MOS管的开启电压U GS = 0 - （VBAT – 0.6） ,栅极表现为低电平。PMOS的DS间导通，寄生二极管被短路，系统通过PMOS的DS接入形成回路。当电源接反时，UGS电压 大于0 V，PMOS管不导通，与负载回路是断开的，从而确保电路安全。 注意：NMOS管将DS串到负极，PMOS管DS串到正极，寄生二极管方向朝向正确连接的电流方向
MOS管的D级和S极的接入：通常使用N沟道的MOS管时，一般电流从D级进入而从S极流出，PMOS则S进D出，应用在这个电路中时则正好相反，通过寄生二极管的导通来满足MOS管导通的电压条件。MOS管只需要在G和S极之间建立一个合适的电压就会完全导通。导通之后D和S之间就像是一个开关闭合了，电流是从D到S或S到D都一样的电阻。
实际应用中，G极会串联一个电阻，为了防止MOS管被击穿，也可以加上稳压二极管。并联在分压电阻上的电容，有软启动的作用。在电流开始流过的瞬间，电容充电，G极的电压逐步建立起来。
对于PMOS，相比NOMS导通需要VGS大于阈值电压，由于其开启电压可以为0，DS之间的压差不大，比NMOS更具有优势。
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