Diodes推出符合车规的40V 双MOSFET 以减少PCB尺寸

Diodes 公司 近日宣布推出符合车用规范的 3.3mm x 3.3mm 封装 40V MOSFETDMT47M2LDVQ 可以取代两个分立式 MOSFET,以减少众多汽车产品应用中电路板所占用的空间,包括电动座椅控制以及先进驾驶辅助系统 (ADAS) 等。

DMT47M2LDVQ 整合了两个 n 信道增强模式 MOSFET,并就此配置实现了业界最低的 RDS(ON)  - 在 10V 的 VGS 和 30.2A 的 ID 时仅为 10.9mΩ。在如此低的导通电阻下,无线充电或马达控制等产品应用中的传导损耗可降至最低。在 10V 的 VGS 和 20A 的 ID 时,典型的栅极电荷为 14.0nC,将交换损耗降至最低。

DMT47M2LDVQ 的高导热效率 PowerDI® 3333-8 的结壳间热阻 (Rthjc) 为 8.43°C/W,可以开发出比单独封装 MOSFET 功率密度更高的终端产品应用。如此便能减少实作汽车功能 (诸如 ADAS 等) 所需的 PCB 面积。

DMT47M2LDVQ 符合 AEC-Q100 Grade 1 等级规范,能支持 PPAP 文件,且以 IATF 16949 标准认证的生产设施制造

芯片优势:
1、高转换率
2、低Rdson-最小化导通损耗
3、低的输入容值
4、高速的开关速度

应用场景:
1、电机驱动
2、供电管理
3、DCDC转换器Features

封装图:


DMT47M2LDVQ在不同Vgs、Vds下的 Ids情况:

电机应用电路使用范例:(可替换单独MOS,减少电机控制板尺寸、减少损耗)

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