Diodes 公司 近日宣布推出符合车用规范的 3.3mm x 3.3mm 封装 40V 双MOSFET。DMT47M2LDVQ 可以取代两个分立式 MOSFET，以减少众多汽车产品应用中电路板所占用的空间，包括电动座椅控制以及先进驾驶辅助系统 (ADAS) 等。
DMT47M2LDVQ 整合了两个 n 信道增强模式 MOSFET，并就此配置实现了业界最低的 RDS(ON) - 在 10V 的 VGS 和 30.2A 的 ID 时仅为 10.9mΩ。在如此低的导通电阻下，无线充电或马达控制等产品应用中的传导损耗可降至最低。在 10V 的 VGS 和 20A 的 ID 时，典型的栅极电荷为 14.0nC，将交换损耗降至最低。
DMT47M2LDVQ 的高导热效率 PowerDI® 3333-8 的结壳间热阻 (Rthjc) 为 8.43°C/W，可以开发出比单独封装 MOSFET 功率密度更高的终端产品应用。如此便能减少实作汽车功能 (诸如 ADAS 等) 所需的 PCB 面积。
DMT47M2LDVQ 符合 AEC-Q100 Grade 1 等级规范，能支持 PPAP 文件，且以 IATF 16949 标准认证的生产设施制造
芯片优势：
1、高转换率
2、低Rdson-最小化导通损耗
3、低的输入容值
4、高速的开关速度
应用场景：
1、电机驱动
2、供电管理
3、DCDC转换器Features
封装图：
DMT47M2LDVQ在不同Vgs、Vds下的 Ids情况：
电机应用电路使用范例：（可替换单独MOS，减少电机控制板尺寸、减少损耗）
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