這裡有你的一份東芝IEGT速遞,請簽收

對於大多數電子工程師而言,IEGT似乎是一個比較陌生的名詞,在現實使用環境中往往將IEGT當成增強型的IGBT來使用,特別是在一些特定的高壓大容量場合中常常能見到它的身影。 由於IEGT在功能上繼承了GTO和IGBT的特徵優點,因此在各種大功率變流器中都有著不俗的表現。

GTO:電壓、電流容量大,適用於大功率,具有電導調製效應,其通流能力强,電流關斷增益小,關斷時負脈衝電流大,關斷速度低,驅動功率大,驅動電路複雜,開關頻率低IGBT:切換速度快,開關損耗小,具有脈衝電流衝擊的能力,壓降較低,輸入阻抗高,為電壓驅動,驅動功率小,切換速度低於MOSFET,電壓,電流容量不及GTO。




在上世紀九十年代,東芝率先通過柵極注入增強技術降低IGBT器件的靜態損耗,並且以柵極注入增強技術(Injection Enhanced Gate Transistor)的首字母註冊了東芝專屬的IGBT器件名稱——IEGT。
東芝半導體是全球先進的半導體生產設計製造公司,致力創新和突破傳統元器件的特有屬性,在保證可靠性能的前提下進一步提升晶元的功能屬性和穩定特性,幫助市場更好服務大眾。

為了使大家更瞭解IEGT的特性,下面以東芝半導體研發的IEGT產品ST2000GXH32為例進行說明。

器件屬性綜述 ; IEGT有兩種封裝形式:
PPI(壓接型IEGT):ST2000GXH32屬於PPI封裝形式,PPI是一種由東芝率先商業化的獨特封裝IGBT器件形式,具有可靠性高、功率密度大、防爆性能優異、方便壓接使用、方便器件串聯等優異特點。


PMI(模塊型IEGT): PMI可以旋緊至散熱片,從而簡化設備組裝,PMI採用一個具有低熱膨脹係數的Al-SiC底板,具有優化的內部結構和部件,封裝採用高CTI*材料,所以它對於電痕破壞較不敏感,能改進封裝表面的隔離電壓。




在電氣特性方面ST2000GXH32的額定電流為2000A,額定集電極-發射極電壓為4500V,集電極-發射極飽和電壓(最大值)為3.3V,二極管正向電壓(最大值)為3.4V,並且器件在開關使用中所造成的能量損耗也是比較小的。



應用場景佈署:
基於PPI的高可靠性、高功率密度特性,雙面冷卻、易串聯的特點,ST2000GXH32可用於高壓直流輸電工程
除此之外,該產品還可以安裝在電力系統中,用作靜止無功補償裝置,有助於提高電力品質和功率因數等。它也可以安裝在高頻變壓器中,例如在大容量軋鋼設備中使用的IEGT變頻器,就是充分利用了串聯、雙面冷卻的特點。

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