SiC MOSFET短路時間相比IGBT短很多，英飛凌CoolSiC™ MOSFET單管保證3us的短路時間，Easy模塊保證2us的短路時間，因此要求驅動電路和的短路響應迅速而精確。今天，我們來具體看一下這個短而精的程度。 圖1是傳統典型的驅動晶片退飽和檢測原理，晶片內置一個恆流源。功率開關器件在