Wide Band Gap(WBG)元件應用及未來發展 如圖(一)，在過去的Power 產品應用上對於功率密度的及高效能的要求，在科技日新月異的快速發展中，Power Mos 功率元元件已由過去Super Junction已邁入GaN Mos(氮化鎵)。在未來的市場上功率元件將會是否何發展呢？ Ga