汽車級版本D N溝道1200 V STPOWER MOSFET，1.45 Ω典型值， 7 A MDmesh K5功率MOSFET，採用H2PAK封裝 產品說明 這款超高壓N-溝道功率MOSFET 採用MDmesh™ K5技術進行設計。該技術以創新型專有垂直結構為基礎。因此，在要求高功率密度和高效率的

N溝道800V STPOWER MOSFET MDmesh™ K6系列，515 mΩ典型值，7 A MDmesh K6功率MOSFET， 採用TO-220封裝 產品說明 這款超高電壓N溝道功率MOSFET依託意法半導體20年的超結技術經驗，採用終極MDmesh™ K6技術設計而成。設計出的產品具有極

STPOWER MOSFET MDmesh M9系列，採用TO-247長引線封裝，N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A  產品說明 該N溝道功率MOSFET基於創新超結MDmesh M9技術，具有非常低的單位面積導通電阻RDS(on)，適合中/高電壓MOSFET

STPOWER MOSFET MDmesh M9系列，採用TO247- 4封裝，N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A 產品說明 該N溝道功率MOSFET基於創新超結MDmesh M9技術，具有非常低的單位面積導通電阻RDS(on)，適合中/高電壓MOSFET。基

N溝道800V STPOWER MOSFET MDmesh™ K6系列，STPOWER MOSFET MDmesh K6系列採用DPAK封裝 產品說明 這種超高電壓N溝道功率MOSFET依託意法半導體20年的超結技術經驗，採用終極MDmesh™ K6技術設計而成。設計成果為最佳單位面積導通電阻和柵極

汽車級N溝道650 V，89 mΩ（典型值），32 A MDmesh DM6半橋拓撲功率MOSFET，採用ACEPACK SMIT封裝  汽車級650V STPOWER MOSFET MDmesh DM6系列  產品說明 該器件在一個半橋拓撲中使用了兩個MOSFET。ACEPACK SMIT功率模塊