作者：英飛凌官微 英飛凌最新的OptiMOS™ 6功率MOSFET系列採用尖端的溝槽工藝，顯著改善了開關/傳導損耗和電流能力。這些改進轉化為更低的系統損耗，從而提高了功率密度、板溫度和整個系統的可靠性，實現了高水平的系統效率。適用於包括開關模式電源（SMPS）、可再生能源、OR-ing電路、電機驅動

16 A 800 V高溫SCR晶閘管，穩健可靠的TN1605H-8x高溫16 A 800 V SCR晶閘管 產品說明 意法半導體公司的TN1605H-8x是一款16 A 800 V SCR，採用緊湊型D2PAK SMD封裝以及高散熱效率通孔式TO-220AB和TO-220I封裝。 TN1605H-8

STPSTxH100/Y - 溝槽型功率肖特基二極體，滿足高開關頻率下的效率要求 產品說明 這些100V溝槽二極體專為工業和汽車應用而設計。無論採用SOD123Flat封裝還是DPAK封裝，都能提供靈活的解決方案，從而支持功率密度更高的設計，提升應用整體性能。 該產品系列的器件符合 AEC-Q101

STPOWER MOSFET MDmesh M9系列，採用TO247- 4封裝，N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A 產品說明 該N溝道功率MOSFET基於創新超結MDmesh M9技術，具有非常低的單位面積導通電阻RDS(on)，適合中/高電壓MOSFET。基

當今社會各行各業快速發展，電力電子/電源領域，數字化、高頻化趨勢明顯。在提高功率密度的過程中，需要提高開關頻率，但是隨著頻率的提高，PWM精度必然降低。而在XMC4000系列中，搭載了HRPWM外設，可以在原有高頻PWM上，提供更精細的解析度，是電力電子變換高頻化的有力幫手。 1.傳統PWM精度 當

傳統兩線風扇控制轉速(風扇電壓), 通常都用Linear架構來做, 但不管是不是用專用IC來做都有其loss損耗多的缺點, 為此Anpec提供switching架構的風扇控制IC, 各架構solution差異如下表 下表是使用APW9010與Linear BJT的loss比較 註1: 下表APW90

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STM32L4系列為一低功耗，高效能的MCU，其具備有ARM Cortex-M4核心，在電源部分，除了傳統內建LDO外，STMicroelectronics在以此為基礎上另外提供了可外掛SMPS的型號，在Run mode可以更進一步的改善功耗表現。   大大购相关商品   NUCLEO-L452RE