與IGBT模塊相比，東芝SiC MOSFET模塊的低損耗特性可以降低總損耗（開關損耗+傳導損耗）。 高速開關和低損耗操作還減小了濾波器、變壓器和散熱器的尺寸，從而實現了緊湊、輕便的系統。 這降低了逆變器系統的材料成本。 此外，無風扇冷卻系統的可行性提高了可靠性並降低了維護成本。 東芝的SiC MOS