KEC SuperJunction MOSFET(超接面金氧半場效電晶體),不僅可實現系統的低消耗電力設計，還可實現Low EMI，可便於用戶設計。 具備可適用於各種電器的豐富產品線和全系列包裝. KEC Gen.2 vs Gen.3(new)特性比較: KEC:600V/650V第三代超接面金氧半