650 V e模式功率GaN電晶體， 75 mOhm典型值，15 A，常關P柵極HEMT 產品說明 SGT120R65AL是一種650 V、15 A e模式PowerGaN電晶體，結合了成熟的封裝技術。由此產生的G-HEMT器件擁有極低的傳導損耗、高電流能力和超快的開關操作，以實現高功率密度和出眾的