在關斷狀態下，功率MOSFET的體二極體結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極體的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極體兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態漏電流在幾十皮安到幾百納安的數量級。 根據電路條件不同，在雪崩、MOSFET漏極或源極中，電流範圍可從微

在功率元件中Si 材料之Power mos 已發展30多年，目前在電源產品上被廣泛使用中。 功率元件是離散元件的一個重要分支，可分為功率離散元件、功率模組和功率IC三大類。功率元件是進行電能(功率)處理的核心元件，用於改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等。其應用領域極其廣泛，幾乎涵蓋汽車電子、工

作者：英飛凌官微 智能設備不僅讓我們的生活變得更加輕鬆和便捷，還能幫助我們實現健康的生活。英飛凌科技的半導體解決方案正在通過多種方式使物聯網（IoT）成為健康生活方式中的關鍵組成部分。 到2050年，全球60歲以上的人口將超過20億。同時根據世界衛生組織的數據，80歲以上的人口將是現在的三倍。醫療保