作者：英飛凌汽車電子生態圈 在設計功率轉換器時，可以使用仿真模型，綜合權衡多個設計標準。其中，使用基於開關的有源器件簡易模型進行快速仿真，可以帶來更多工程參考。然而，與製造商精細的器件模型相比，這種簡易模型在設計中無法提供相等的精度。本文探討了功率轉換器設計員如何結合系統級模型和精細模型，探索更多設

1 通過CubeMX獲得封裝信息    1.1 第一步，選擇晶片型號    1.2 第二步，選擇CAD Resources    1.3 第三步，選擇生成Altium可用的封裝    1.4 第四步，勾選Altium Designer    1.5 第五步，點擊CAD Models，下載庫文件 2

16 A 800 V高溫SCR晶閘管，穩健可靠的TN1605H-8x高溫16 A 800 V SCR晶閘管 產品說明 意法半導體公司的TN1605H-8x是一款16 A 800 V SCR，採用緊湊型D2PAK SMD封裝以及高散熱效率通孔式TO-220AB和TO-220I封裝。 TN1605H-8

汽車級碳化矽功率MOSFET，650 V，58 mΩ典型值，30 A，頂部冷卻式HU3PAK封裝 產品說明 該碳化矽STPOWER MOSFET電晶體採用意法半導體先進、創新的第三代碳化矽 (SiC) MOSFET技術開發而成。該器件在整個溫度範圍內都具有極低的RDS(on)，兼具低電容和非常高的開

東芝電子元件及儲存裝置株式會社（“東芝”）今日宣佈，推出額定電流為20A的12V共漏極N溝道MOSFET“SSM14N956L”，該器件可用於行動裝置鋰離子（Li-ion）電池組中的電池保護電路。 該產品開始支援批量出貨。 註:圖片作者:東芝半導體/來源網址:https://mp.weixin.qq

在使用數據表中的熱特性參數時，如何做出設計決策經常存在一定的誤區。本文將幫助您了解如何解讀數據表中的熱參數：包括如何選擇 θ 與 ψ 及其計算，以及如何以實用的方式將其應用於設計。之前我們討論過穩態數據，今天重點將放在瞬態數據上。 瞬態數據 瞬態結果可以呈現為發熱曲線、占空比曲線、熱-RC-網絡模型

     作為一名電子工程師，我們經常會設計原理圖、PCB，期間就要用到元件器的原理圖和PCB封裝，藉助於Library Loader工具可以方便我們的設計，節省時間。 下面介紹一下如何使用Library Loader工具來導入現成的封裝。首先要註冊一個賬號並下載Library Loader。 鏈接

業界仰賴的板級扇出封裝 RDL(Redistribution Layer)是其成敗的關鍵 旺宏這幾年，因各項產品積極佈局於WLCSP新製程包裝及高偕產品之原故，進而加快導入RDL製程演進的步調，從PCN文件中即可嗅出端倪。 扇出型封裝是先進封裝最具代表性的技術之一，隨著其向多晶片、3D SiP等方向

推進摩爾定律設限 3D封裝技術已成關鍵 隨著先進奈米製程已逼近物理極限，摩爾定律發展已難以為繼，無法再靠縮小線寬同時滿足性能、功耗、面積及訊號傳輸速度等要求；再加上封裝技術難以跟上先進製程的發展進程，因此三星、台積電、英特爾等晶圓代工巨擘紛紛跨足封裝領域，要借重先進的封裝技術實現更高性能、更低耗電量

摘要 傳統銲線式 (wire-bond) SOT-23封裝的散熱能力不甚佳；覆晶式 (FCOL) SOT-23 封裝因內部結構不同，有較好的散熱能力。本應用須知將比較這兩種封裝技術，且提出關於改進 PCB 佈局以達到最佳散熱性能的一些實用原則。 1. 簡介 因SOT-23 封裝占用的面積小、成本低，