前言   功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化矽SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，並保證系統的可靠性。 功率器件熱設計基礎系列文章將比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。 第一講《功率器件熱設計基礎

『東芝擴展Thermoflagger過溫檢測IC "TCTH0xxxE系列"。該系列可用於具有正溫度係數（PTC）熱敏電阻的簡單電路中，用來檢測電子設備中的溫度升高，為了使電子設備按規定運行，半導體和其他電子元件必須在設計參數範圍內工作。內部溫度是一個關鍵參數，特別是當它高於設計流程中的假設溫度時，

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