東芝推出了適用於工業設備交換式電源供應器(高效AC-DC / DC-DC轉換器)的第十代80 V N通道功率MOSFET U-MOSⅩ-H系列，新增並提供三種以下類型的封裝：
1).直插式封裝TO-220: TK2R4E08QM、TK3R3E08QM、TK5R3E08QM、TK7R0E08QM
2).絕緣型直插式封裝TO-220SIS: TK2R4A08QM、 TK3R2A08QM、 TK5R1A08QM 、 TK6R8A08QM
3).貼片式封裝DPAK: TK5R1P08QM、TK6R9P08QM
新產品採用新一代低壓溝槽結構的U-MOSⅩ-H製程，具有低漏源導通電阻，這減少了導通損耗，有助於降低元件的損耗。
此外，同樣具備現有製程U-MOSVIII-H的低柵極開關電荷特性，這降低了「漏源導通電阻*柵極開關電荷」的值（開關應用的品質因數）
使用TO-220封裝的第十代TK2R4E08QM 以及 第八代TK100E08N1的規格書來看;
U-MOSⅩ-H:(TK2R4E08QM)
1).更低的導通電阻，RDS(ON)=2.44 mΩ (最大值) ＠VGS=10 V
2).低柵極電壓6V驅動
3).低電荷（輸出和柵極開關）
1).直插式封裝TO-220: TK2R4E08QM、TK3R3E08QM、TK5R3E08QM、TK7R0E08QM
2).絕緣型直插式封裝TO-220SIS: TK2R4A08QM、 TK3R2A08QM、 TK5R1A08QM 、 TK6R8A08QM
3).貼片式封裝DPAK: TK5R1P08QM、TK6R9P08QM
新產品採用新一代低壓溝槽結構的U-MOSⅩ-H製程，具有低漏源導通電阻，這減少了導通損耗，有助於降低元件的損耗。
此外，同樣具備現有製程U-MOSVIII-H的低柵極開關電荷特性，這降低了「漏源導通電阻*柵極開關電荷」的值（開關應用的品質因數）
使用TO-220封裝的第十代TK2R4E08QM 以及 第八代TK100E08N1的規格書來看;
U-MOSⅩ-H:(TK2R4E08QM)
1).更低的導通電阻，RDS(ON)=2.44 mΩ (最大值) ＠VGS=10 V
2).低柵極電壓6V驅動
3).低電荷（輸出和柵極開關）
U-MOSVIII-H:(TK100E08N1)
1).RDS(ON)=3.2 mΩ (最大值) ＠VGS=10 V
2).柵極電壓僅10V驅動
從以上來看，TK2R4E08QM的典型漏源導通電阻*典型柵極開關電荷降低了8%左右
下圖為應用線路範例: 一次側全僑相移FULL BRIDGE or 輸出端SR
產品規格可參考如下:
