英飞凌新型汽车级600 V CoolMOS™S7A SJ MOSFET专注于xEV应用,特别是慢速开关汽车应用,例如HV eFuse,HV eDisconnect和OBC PFC级慢开关支路。通过将S7A MOSFET出色的稳健性和性能与QDPAK封装创新的TSC概念相结合,可以满足这些应用中对提高功率密度,安全性和可靠性提出的更加严格的要求。新的MOSFET设计提供了成本优化的,低至10mΩ RDS(on),从而实现了更高的功率密度和最小的导通损耗。顶部散热的QDPAK封装受益于内部的开尔文源,高功耗能力和创新的散热概念而提供了更高的效率和可控性。
通过在ALR整流中使用S7A取代二极管桥,OBC的经典升压PFC拓扑可以实现效率约+0.5%提升,功率损耗降低-30%。
CoolMOS™S7A是用于HV eDisconnect和HV eFuse的半导体解决方案。它在可靠性、灵活性、成本优化、可扩展性等方面满足严苛的系统需求。
CoolMOS™S7A系列建立在对CoolMOS™7成功技术的优化基础上,该技术从器件中移除了在低频开关应用中不需要的与开关性能相关的冗余功能。因此,英飞凌这种新的技术在不降低质量或性能的前提下进行了成本优化,旨在满足远远超出AEC Q101标准的最高汽车质量。
CoolMOS™S7A技术采用顶部散热QDPAK封装的10mΩ芯片。创新技术允许在SMD中实现更大的芯片,从而达到市场上最低的RDS(on)。内部的Kelvin源配置和低源极寄生电感,可将开关损耗降至最低,同时提高可控制性和易用性。新的散热概念可实现板与半导体的热解耦。这样,可以实现更高的芯片温度,并且系统设计人员可以从PCB设计的灵活性中受益。
CoolMOS™ S7A主要特征
- 同类最佳10mΩ导通电阻
- SMD封装中最小的RDS(on)
- 优化导通性能
- 改善热阻
- 高脉冲电流能力
- 交流线路换流时体二极管的稳健性
- 开尔文源概念
CoolMOS™ S7A主要效益
- 最低导通损耗
- 提高能效
- 更紧凑和简单的设计
- 提高功率密度
- 更低TCO或BOM成本
- 灵活的系统集成
- 可变散热策略
- 可扩展技术
主要应用
- HV eFuse
- HV eDisconnect
- OBC
IPDQ60R010S7A主要参数:
Parameter |
Value |
Unit |
RDS(on),max |
10 |
mΩ |
Qg,typ |
318 |
nC |
VSD |
0.82 |
V |
Pulsed ISD, IDS |
801 |
A |
产品系列
RDS(on) max. [mΩ] |
QDPAK TSC |
QDPAK BSC |
40 |
|
IPQC60R040S7A** |
22 |
IPDQ60R022S7A** |
IPQC60R022S7A** |
17 |
|
IPQC60R017S7A** |
10 |
IPDQ60R010S7A* |
IPQC60R010S7A** |
**Coming soon
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