电源是每个电子产品必备的部件，要做到适用产品的各项要求且便于携带，就要牺牲外部体积和内部空间。内部空间变小带来的就是热量不易散发从而引发产品异常，异常的主要原因就是开关电源中的发热元件—功率MOSFET，其散热性能因封装结构而有所限制，所以只有加大改进MOSTET封装的散热性才能降低功率损耗。早期的MOSFET需安装较大的散热片或依靠底部PAD点才能进行有效散热，既浪费空间又达不到理想效果。
得益于电子产品不断更新换代，各大原厂为满足市场需求陆续开发并量产了双面散热新封装。竞争对手双面散热封装的架构是在铜连接器的顶部增加一个独立的铜散热板，这种结构会在铜散热板和铜连接器之间产生界面热阻和电阻；而 Toshiba的DSOP Advance双面散热新封装只采用一个集成连接器，所以不存在附加的界面热阻和电阻，组件数的减少带来就是Toshiba-DSOP Advance新封装在性能和成本上都由于竞争对手。
由于顶部集成连接器增强了热传导性能，DSOP Advance封装比传统单面散热的热阻降低了26%；与传统单面散热封装之间的雪崩能量相比降低了13%；得益于Toshiba最新一代技术（UMOSIX-H），DSOP Advance比传统单面散热封装电阻下降25%。以下是通过Toshiba单、双面散热两颗型号的Rth对比，DSOP Advance双面散热封装的热阻明显低于SOP Advance单面散热封装。
远不止以上各方面统计和官方数据，Toshiba原厂还用单面底部散热封装SOP Advance (TPHR9003NL) 和 双面散热新封装DSOP Advance（TPWR8503NL） 在同样的环境下做了对比测试，无论是否带散热片，DSOP Advance双面散热封装的性能都明显优于SOP Advance单面散热封装。
为了验证热阻与温度的关系，我们用Fluke红外测试仪做了个简单测试，发现工作时DSOP Advance双面散热封装发热面温度明显低于SOP Advance单面散热封装。
以下列表是目前Toshiba双面散热封装从30V-250V/26A-150A的对应型号及参数，它将为小型化产品的MOSFET选型带来更大转换效率及效益，欢迎选用Toshiba-DSOP Advance双面散热MOSFET！
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