Nand flash 在出廠時存在壞塊是規格書上已經明載!非零件不良!
Nand flash 技術支持，最常遇到的問題就是客戶反應。Nand flash 有壞塊主晶片無法掌控進而要求RMA ;FA!
Nand flash 兩大陣營 ONFI (Samsung 陣營) & Toggle (Toshiba 陣營)在出廠時允許有壞塊規格書上都載明了!
一般來說在出廠時Nandn Flash即可能會有壞塊存在。這是規格定義。
壞塊的分佈有連續性或隨機散落在不同位址但數量會限制在Nand flash Block 總數的2%內
僅Block 0 塊位址0在ECC的機制下保證為好塊!
由上圖得知此nand flash 總數2048 最多可能存在的bad block 數為40個
簡單的算式=>2048-2008=40 個
壞塊資訊Bad block information 是有可能被擦除的!所以在使用nand flash前Bad Block Management壞塊管理流程是重要的。
從Block 0 (塊0)開始確認是否有bad block mark 壞塊標誌，如果搜尋的位址是bad block就建系統bad block 表格，依序確認到最後一個block 。
Nand Flash由於其物理特性，擦寫次數是有限制的，超過數抹除寫入次數有可能就會壞了。在使用過程中，有些Nand Flash的block可能會用壞了，當主控晶片發現了，要及時將此block標註為壞塊，不再使用。於此相關的管理工作，屬於Nand Flash的壞塊管理的一部分工作
參考資料:
美光官網:
Winbond 官網
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